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到目前为止，并没有机构能够实现10纳米的新型CMOS器件，而且也没有新型器件能够在性能上真正超过最好的硅基CMOS器件。 碳纳米管被认为是构建亚10纳米晶体管的理想材料，其原......
管自己组装为需要的新结构。其方法更像是水晶生长而非雕刻塑像。 最近数年纳米技术再次转热。去年，IBM研究院一个团队开发了一种新方法，在一个更小空间中封装更多碳纳米管晶体管。NanotronicsImaging等公......
斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限，采用碳纳米管复合材料将现有最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm。 那么，为何说7nm就是硅材料芯片的物理极限，碳纳米管复合材料又是怎么一回事呢？面对美国的技术突破，中国......
定律前方是星辰大海 2016年，美国团队就宣布研制出的1纳米晶体管。不过据研究团队介绍，这个研究还处于一个很早期的阶段。实验室团队还没有一个可行性方案大批量制造。 不过3nm芯片......
邮电大学张盼盼特聘研究员为共同第一作者。 消息披露，该芯片由3000个碳纳米管场效应晶体管组成，能够高效执行卷积运算和矩阵乘法。该芯片采用了新型器件工艺和脉动阵列架构，可实现并行的2位整数乘积累加运算。实验表明，基于......
邮电大学张盼盼特聘研究员为共同第一作者。 消息披露，该芯片由3000个碳纳米管场效应晶体管组成，能够高效执行卷积运算和矩阵乘法。该芯片采用了新型器件工艺和脉动阵列架构，可实现并行的2位整数乘积累加运算。实验表明，基于......
和非弹性电子散射的理论框架，建立了确定材料结构的方法和所需的重要参数库。在碳基电子学领域，发展形成了整套碳基CMOS集成电路无掺杂制备新技术，首次制备出性能接近理论极限，栅长仅5纳米的碳纳米晶体管，实现......
通讯和生物医药等领域的广泛应用打下坚实基础。 据了解，半导体性单壁碳纳米管具有原子级厚度、表面无悬键的准一维管状结构和高电子迁移率等优异电学性质，因而被视为10 nm以下高性能、低功耗场效应晶体管......
毫米晶圆上集成硅晶体管、氮化镓晶体管，且性能良好。 这为实现300毫米硅基氮化镓(GaN-on-silicon)晶圆开辟一条可行的路径。 今年，Intel在硅......
作是取代硅的热门候选人。早在1997年，IBM和荷兰的Delft大学就开发过首个碳纳米管的晶体管。到2013年，斯坦福的实验室里，还通过碳纳米管制作了电脑。硅，在发展更小半导体组成晶体管的最大阻力是，体积越小，消耗......
泛研究并使用在这个领域。在半导体特性上，石墨烯具有优良的导电特性及易掺杂改性的特性，因此被用来制作为各种半导体器件，如零带隙、顶栅石墨烯场效应管，双层石墨烯晶体管，双极超导石墨烯晶体管，石墨烯纳米带场效应管等。在应......
传统冯诺依曼架构已经无法满足高速、高带宽的数据搬运和处理需求；二是构建芯片的硅基互补金属氧化物半导体晶体管，进入了尺寸缩减、功耗剧增的困境，亟需发展超薄、高载流子迁移率的半导体作为沟道材料。 而碳纳米......
尔研究人员在大会上展示了结合背面供电和直接背面触点（direct backside contacts）的3D堆叠CMOS晶体管，分享了近期背面供电研发突破的扩展路径（如背面触点），并率先在同一块300毫米晶......
，分享了近期背面供电研发突破的扩展路径（如背面触点），并率先在同一块300毫米晶圆上，而非封装中，成功实现了硅晶体管与氮化镓（GaN）晶体管的大规模单片3D集成。 “ 我们......
了近期背面供电研发突破的扩展路径（如背面触点），并率先在同一块300毫米晶圆上，而非封装中，成功实现了硅晶体管与氮化镓（GaN）晶体管的大规模单片3D集成。“ 我们正在进入制程技术的埃米时代，展望‘四年......
，等效的物理栅长仅为3纳米。2016年，美国的劳伦斯伯克利国家实验室和斯坦福大学在《科学》（Science）期刊报道了基于金属性碳纳米管材料实现了物理栅长为1纳米的平面硫化钼晶体管。为进......
过大电流时，材料会表现出显著的电阻增加；而一旦停止供电，其电阻又迅速恢复到初始状态。这种特性使该材料可被用作开关元件，类似于半导体中的晶体管。团队尝试了多种不同掺杂物（包括碳、碳纳米管以及石墨烯）的聚......
结构的创新和新材料的引入上，2纳米有望成为新的转折点。 首先是结构上，根据国际器件和系统路线图(IRDS)的规划，在2021～2022年以后，鳍式场效应晶体管(FinFET)结构将逐步被环绕式栅极（GAAFET......
Sondrel 完成数十亿 5 纳米晶体管芯片设计;为全球领先技术品牌提供超复杂芯片的领先供应商 Sondrel 公司（伦敦证券交易所股票代码：SND）宣布已完成迄今为止最复杂的芯片设计。该超......
Sondrel 完成数十亿 5 纳米晶体管芯片设计;为全球领先技术品牌提供超复杂芯片的领先供应商 Sondrel 公司（伦敦证券交易所股票代码：SND）宣布已完成迄今为止最复杂的芯片设计。该超......
都经过认证，并针对FINFLEX架构进行了优化。 2纳米家族 在过去的15年中，台积电一直在研究纳米片(nanosheet)晶体管，并坚信N2是导入纳米片晶体管的合适工艺制程。 由于纳米片晶体管......
“芯”突破，具明亮基态激子的半导体纳米晶体发现！;近日，来自美国海军研究实验室（NRL）和瑞士苏黎世联邦理工学院（ETH）的科学家表示，他们发现了一类具有明亮基态激子的新型半导体纳米晶体。这一......
尔研究人员在大会上展示了结合背面供电和直接背面触点（direct backside contacts）的3D堆叠CMOS晶体管，分享了近期背面供电研发突破的扩展路径（如背面触点），并率先在同一块300毫米晶......
尔研究人员在大会上展示了结合背面供电和直接背面触点（direct backside contacts）的3D堆叠CMOS晶体管，分享了近期背面供电研发突破的扩展路径（如背面触点），并率先在同一块300毫米晶......
性以及与不同衬底的兼容性而受到关注。目前，印刷的二维晶体管受到性能不理想、半导体层较厚和器件密度低的制约。同时，多数二维材料油墨通常使用高沸点溶剂，随之而来的问题包括器件性能退化、高材料成本和毒害性等，难以......
的摩尔定律近年逐渐有了失灵的迹象。从芯片的制造来看，7nm 就是硅材料芯片的物理极限。不过据外媒报导，，采用碳纳米管复合材料将现有最精尖的电晶体制程从 14nm 缩减到了1nm。那么，为何说 7nm 就是......
的摩尔定律近年逐渐有了失灵的迹象。从芯片的制造来看，7nm 就是硅材料芯片的物理极限。不过据外媒报导，，采用碳纳米管复合材料将现有最精尖的电晶体制程从 14nm 缩减到了1nm。那么，为何说 7nm 就是......
来性能的提升。此项纪录原有的保持者是斯坦福大学在2016年用碳纳米管造出1nm栅极长度晶体管。任天令指出，这可能是摩尔定律的最后一个节点。在未来，人们几乎不可能制造小于0.34nm的栅极长度。 　　另一......
圆的价格约为3000美元，这种采用成熟制程的半导体，可以实现更简单的功能，如将设备连接到Wi-Fi网络。 半导体世界以纳米或用于生产的晶体管的大小来对自己进行分类。晶体管越小，工艺技术越新、越先进，单个......
利源表非常适合当今多种现代化电子器件的电流/电压特性分析和功能测试，包括： 纳米材料与器件测试，如石墨烯、碳纳米管、纳米线、低功耗纳米结构等； 半导体结构测试，如晶圆、薄膜 有机材料与器件测试，如电子墨水、印刷电子技术 能量......
研究副总经理黄汉森(Philip Wong)在演讲中就谈到过半导体工艺极限的问题，他认为到了2050年，晶体管来到氢原子尺度，即0.1nm。 关于未来的技术路线，黄汉森认为像碳纳米管(1.2nm尺度)、二维层状材料等可以将晶体管......
发高性能的深紫外和极紫外光刻胶提供了一种新思路。 可水显影的二氧化碳基化学放大光刻胶的合成路线、光刻过程和光刻结果 图片来源：国家自然科学基金委员会官网 阵列碳纳米管晶体管 北京大学电子学院、碳基电子学研究中心张志勇教授课题组在碳纳米管晶体管......
最大限度保持系统低噪声;作者：KEMET公司 能够抑制电源电磁干扰的紧凑型纳米晶体单相滤波器可为工程师提供更大的设计灵活性。 在这个互联程度日益提高的世界中，我们......
走到了尽头 有能力制造先进节点芯片的公司数量随着工艺几何结构的变化而不断减少，每增加一个新节点，成本也越来越高。台积电最先进的300毫米晶圆厂耗资达200亿美元。 在20nm节点，人们首次发现平面晶体管......
掏空腰包的2纳米;据Tom's Hardware报道，随着2014年FinFET晶体管的推出，芯片开发成本开始飙升。此外随着7nm和5nm级工艺技术的发展，芯片开发成本变得尤其高。国际......
国际团队开发出一种“3D光量子存储器”原创技术;包括韩国蔚山科学技术研究院在内的国际联合团队最近开发出一种“3D光量子存储器”原创技术，在光射态纳米粒子（ANP）中发现了可控制无限反复闪烁的“纳米晶体......
环形扼流圈具有多种特性，通常采用纳米晶体金属芯设计，可用于多种防止噪声领域。 然而，随着技术的快速发展，满足单相 EMC 要求的塑料外壳滤波器最近脱颖而出。这些最新一代设备大多采用了软纳米晶体......
。 2、超薄2D材料在单芯片内集成更多晶体管 使用厚度仅仅3个原子的2D通道材料，Intel展示了GAA堆栈纳米片，在双栅极结构上，在室温环境、低漏电率下，达成了非常理想的晶体管开关速度。第一......
披露，该芯片由3000个碳纳米管场效应晶体管组成，能够高效执行卷积运算和矩阵乘法。该芯片采用了新型器件工艺和脉动阵列架构，可实现并行的2位整数乘积累加运算。实验表明，基于该TPU的五......
高产高纯制备半导体性单壁碳纳米管实现突破;具有特定导电属性的单壁碳纳米管（SWCNTs）可控制备，是未来纳米电子器件应用的迫切需求。然而，要实现半导体性单壁碳纳米管（s-SWCNTs）纯度......
控制互连寄生参数成为性能设计中的重要课题。但夏禹认为，晶体管与互连线模型复杂化只是增加了工作量，并非不能解决，工艺演进最大的拦路虎是功耗密度，类似的设计“如果16纳米芯片功耗密度为1，那么到5纳米功耗密度就可能是10，芯片如何散热，整个......
首个电流激发光源的光量子电路问世：比头发还细;碳纳米管因为直径不到一根头发粗细，成为光量子电路最小型光源的最佳选择，用激光照射碳纳米管，它们会发出许多单光子。但由于现有芯片内含的都是电学组件，不接......
首个电流激发光源的光量子电路问世：比头发还细;碳纳米管因为直径不到一根头发粗细，成为光量子电路最小型光源的最佳选择，用激光照射碳纳米管，它们会发出许多单光子。但由于现有芯片内含的都是电学组件，不接......
物受体、传感膜或碳纳米材料）检测，这些传感元件是生物传感器的一部分。该装置将对被分析物的生物反应转化为电信号。生物元件的检测和浓度与流过晶体管的漏极电流有关。然后使用直流I-V测量仪器测量FET的电......
库存调整仍在持续，但已观察到3纳米N3制程和N3E制程皆有许多客户参与，量产第一年和第二年产品设计定案数量将是5纳米N5制程2倍以上。 台积电3纳米制程技术无论在PPA（效能、功耗及面积）及电晶体......
LG 化学将建造第四座碳纳米管工厂：用于制造电动汽车电池，年产能达 3200 吨;据国外媒体报道，周二，韩国动力电池企业 LG 化学（LG Chem）表示，将在韩国首尔以南约 75 公里的忠清南道建造第四座碳纳米......
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，并在汉堡工厂建立生产基础设施。同时，晶圆厂的硅(Si)二极管和晶体管产能将会增加。此项投资是在该工厂成立100周年之际，与汉堡经济部长Melanie Leonhard博士......
下一代宽禁带半导体产品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，并在汉堡工厂建立生产基础设施。同时，晶圆厂的硅(Si)二极管和晶体管产能将会增加。此项投资是在该工厂成立100周年之际，与汉堡经济部长Melanie......
(SiC)和(GaN)，并在汉堡工厂建立生产基础设施。同时，晶圆厂的硅(Si)二极管和晶体管产能将会增加。此项投资是在该工厂成立100周年之际，与汉堡经济部长Melanie Leonhard博士......
体行业观察富士通半导体和三重富士通半导体上周共同宣布，他们已与总部位于美国的 Nantero 公司达成协议，授权该公司的碳纳米管内存 （NRAM） 技术，三方公司未来将致力于 NRAM 内存的开发与生产。据了解，借由......

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