【导读】汽车事件数据记录系统（EDR）市场的不断发展正在推动专用数据记录存储设备的需求，这些设备能够即时捕获关键数据并可靠地存储数据长达数十年。近日，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）进一步扩展其，推出两款分别具有1Mbit和4Mbit存储密度的新型F-RAM存储器。全新1Mbit EXCELON™ F-RAM是业内首款车规级串行F-RAM存储器。

汽车事件数据记录系统（EDR）市场的不断发展正在推动专用数据记录存储设备的需求，这些设备能够即时捕获关键数据并可靠地存储数据长达数十年。近日，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）进一步扩展其，推出两款分别具有1Mbit和4Mbit存储密度的新型F-RAM存储器。全新1Mbit EXCELON™ F-RAM是业内首款车规级串行F-RAM存储器。

这两款新品已通过AEC-Q100 1级认证，支持更宽泛的温度范围（-40°C 至+125°C ），补充了存储密度从4Kbit到16Mbit不等的车规级F-RAM存储器产品组合。它们均具有快速且高度可靠的读/写性能，在SPI模式和Quad SPI（QSPI）模式下的读写性能分别高达50 MHz和108 MHz。此外，这些存储器具有10万亿次读写周期，能够支持以10微秒间隔进行数据记录长达20年。

英飞凌科技RAM解决方案副总裁Ramesh Chettuvetty表示：“随着电子系统的广泛应用，以及行业法规鼓励在安全气囊系统及发动机控制和电池管理系统中使用高可靠非易失性存储器，汽车系统中的数据记录需求正在迅速增长。需要记录数据的应用数量不断增加，根据特定用例定制存储密度的需求也随之增长。英飞凌致力于帮助客户灵活满足各类系统设计对存储器架构的要求。”

EXCELON F-RAM存储器具有零延迟写入功能，可以持续捕获并记录数据，直到事故或其他用户定义的触发事件发生前的最后一瞬间。这两款新品采用串行（SPI/QSPI）接口，具备F-RAM存储器的超低功耗特性，工作电压范围为1.8 V至3.6 V，并采用标准的8引脚SOIC封装。半导体科技公司英飞凌的F-RAM存储器除了具有出色的耐用性外，还可在断电后保存数据超过100年。

供货情况

英飞凌存储密度为1Mbit (CY15B201QN-50SXE)和4Mbit (CY15B204QN-40SXE) 的EXCELON 车规级F-RAM存储器件现已量产。

关于英飞凌

英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约56,200名员工，在2022财年（截至9月30日）的收入约为142亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市（股票代码：IFX），在美国的OTCQX国际场外交易市场上市（股票代码：IFNNY）。

英飞凌中国

英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来，英飞凌的业务取得非常迅速的增长，在中国拥有约3,000多名员工，已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链，并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。

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