前言

STM32全系列产品都具有CRC外设，对CRC的计算提供硬件支持，为应用程序节省了代码空间。CRC校验值可以用于数据传输中的数据正确性的验证，也可用于数据存储时的完整性检查。在IEC60335中，也接受通过CRC校验对FLASH的完整性进行检查。在对FLASH完整性检查的应用中，需要事先计算出整个FLASH的CRC校验值（不包括最后保存CRC值的字节），放在FLASH的末尾。在程序启动或者运行的过程中重新用同样的方法计算整个FLASH的CRC校验值，然后与保存在FLASH末尾的CRC值进行比较。

EWARM从v5.5版本之后开始支持STM32芯片的CRC计算。前面所说的计算整个FLASH的CRC校验值并保存在FLASH末尾的过程，可以在IAR中完成。通过配置EWARM的CRC计算参数，自动对整个FLASH空间进行CRC计算，并将计算结果放到FLASH的末尾。本文中将介绍的就是如何配置IAR的CRC参数，使之与STM32的CRC硬件模块保持一致。本文中的例子都基于STM32F072进行。

STM32的CRC外设CRC校验值的计算采用多项式除法，可以通过除数和被除数进行异或运算实现。这种方法非常适合通过硬件电路来实现。使用STM32CRC外设时，你要考虑的内容包括：采用哪个CRC生成多项式，输入数据（要进行校验的数据）和初始值。

1.生成多项式默认使用CRC32多项式：0x4C11DB7

部分芯片支持可编程的多项式，比如STM32F3，STM32F0，STM32L0

2.初始值STM32的CRC初始值默认为0xFFFFFFFF，STM32F3，STM32F0，STM32L0系列可以修改初始值

3.输入/输出数据的反转STM32F3，STM32F0，STM32L0系列还提供了对输入/输出数据进行反转的功能。默认不对输入数据和输出数据进行位反转

· 对输入数据的位反转操作可以设置为按字节/半字 /字为单元进行操作。例如输入数据为0x1A2B3C4D, o 每个字节内逐位反转，结果是0x58D43CB2 o 每半字内逐位反转，结果是0xD458B23C o 每个字长内逐位反转，结果是0xB23CD458· 对输出数据的位反转。 o 例如输出数据为0x11223344,反转后为0x22CC4488

IAR的CRC配置

1.修改Link文件指定checksum在FLASH中的存储位置，在Link文件中增加下面语句。

该语句指定将CRC的值放在FLASH的末尾位置。是整个FLASH空间的末尾，不是应用程序的代码末尾。这样，CRC值的位置就是固定的。不会随代码大小而变化。

2.配置Checksum页面的参数

IAR Checksum页说明（v6.4及以上）

IAR的checksum页面分为两个部分。第一部分，也就是红线圈出的部分。定义了FLASH中需要计算CRC的范围和空闲字节填充值。剩下的部分，就是对checksum计算参数的设定部分。 Checksum size ：选择checksum的大小（字节数） Alignment：指定checksum的对齐方式。不填的话默认2字节对齐。

Algorithm：选择checksum的算法 Complement：是否需要进行补码计算。选择“Asis”就是不进行补码计算。 Bit order：位输出的顺序。MSB first，每个字节的高位在前。LSB first，每个字节的低位在前。 Reverse byte order within word： 对于输入数据，在一个字内反转各个字节的顺序。 Initial value： checksum计算的初始化值 Checksum unit size ：选择进行迭代的单元大小，按8-bit，16-bit还是32-bit进行迭代。

3.STM32 CRC外设使用默认配置时IAR的配置STM32CRC外设的配置：

POLY= 0x4C11DB7（CRC32） Initial_Crc = 0Xffffffff 输入/输出数据不反转 输入数据：0x08000000~0x0801FFFB。(最后4个字节用来放计算出的CRC值)

具体使用中我们可以根据实际应用需求参照上面介绍做相应配置即可。