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研发客服当地时间7月26日，美光科技宣布，已开始送样其首款8-high 24GB HBM3 Gen2内存产品，带宽大于1.2TB/s，引脚速度超过9.2Gb/s，比目前推出的HBM3解决方案提高50%，其每瓦性能比前几代产品提高了2.5倍。
据介绍，美光科技HBM解决方案采用1β(1-beta)DRAM工艺节点，该节点允许将24Gb DRAM芯片组装到行业标准封装尺寸内的8-high立方体中。此外，美光科技的12高堆栈（容量为36GB）将于2024年第一季度开始提供样品。与现有的竞争解决方案相比，美光科技在给定堆栈高度下提供的容量增加了50%。
美光科技表示，作为HBM3 Gen2产品开发工作的一部分，美光科技与台积电之间的合作为AI和HPC设计应用的计算系统的顺利引入和集成奠定了基础。台积电已收到美光科技HBM3 Gen2内存样品，并正在与美光科技密切合作进行进一步评估和测试，这将有利于客户下一代HPC应用的创新。美光科技HBM3 Gen2在美国进行设计和工艺开发，在日本进行内存制造，在中国台湾进行先进封装。
此前，美光科技推出基于1α(1-alpha)24Gb单片DRAM芯片的96GB DDR5模块，用于容量需求大的服务器解决方案，此次推出的是基于1β 24Gb芯片的24GB HBM3产品。美光科技计划，在2024年上半年推出基于1β 32Gb单片DRAM芯片的128GB DDR5模块。
封面图片来源：拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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