在当前高度依赖高可靠性和高速响应的电子系统中，RAMXEED（原富士通半导体）凭借其新一代FeRAM（铁电随机存储器）的卓越性能与广泛应用，迅速脱颖而出。作为富士通半导体品牌变革后的新面貌，RAMXEED在多年技术积累的基础上不断优化FeRAM性能，从而在工业、汽车、智能电网和医疗等领域中确立了独特地位。

在E维智库第12届中国硬科技产业链创新趋势峰会上，RAMXEED总经理冯逸新全面介绍了品牌的战略方向与存储产品的独特价值。他指出，RAMXEED专注于创新存储技术，以满足高可靠性应用的需求，并特别强调其存储产品在这些关键领域的适用性。冯逸新进一步表示，RAMXEED的FeRAM和ReRAM技术不仅具有高读写速度和耐用性，还能够在苛刻的环境中稳定运行，展现出在各类关键任务应用中的显著优势。

RAMXEED总经理冯逸新

新品特性：高温耐受、快速读写和紧凑封装

RAMXEED新款FeRAM具备125°C的高温耐受、1.65V低功耗设计、50-108MHz的高速传输和小巧的DFN封装，并获得了车规级AEC-Q100认证，使其在高温严苛环境中的表现更加可靠。RAMXEED将FeRAM设计得更加高效，尤其在高频写入需求的场景中优势显著。

市场深耕与技术积累

自富士通半导体时期以来，RAMXEED持续深耕FeRAM和ReRAM市场二十余年，并已交付超44亿片FeRAM产品。这些产品广泛应用于实时写入、掉电保护等高需求场景，确保了关键数据的稳定和快速存取，尤其是在智能电网、工厂自动化等领域的表现尤为突出。

FeRAM的核心优势

与传统的非易失性存储器（如NOR Flash、EEPROM）相比，FeRAM无需擦除步骤便能直接覆盖写入，速度达到纳秒级，写入耐久性可达10^13至10^14次。这样的特性极大降低了延迟并提高了耐用性，尤其适用于智能电表、光伏逆变器、充电桩等高频读写应用，进一步巩固了其在实时数据处理需求中的地位。

FeRAM与ReRAM：多样化应用

RAMXEED的FeRAM和ReRAM两种存储器产品各具特色，满足不同需求。FeRAM适用于智能电网、工业自动化、医疗电子、汽车等高频写入领域，而ReRAM则以小尺寸和低功耗的优势被广泛应用于助听器等可穿戴设备。这些产品大幅度延长了设备的续航和高效性能，使RAMXEED在存储解决方案市场中拥有显著优势。

创新应用：无源磁式旋转编码器

在磁式旋转编码器领域，RAMXEED基于FeRAM的二进制计数技术实现了无电池设计，即便在电源失效或外部冲击的情况下，FeRAM依然能准确记录设备位置。这一创新不仅优化了设备性能，还符合环保标准，为工业自动化和新能源汽车提供了可靠的存储方案。

冯经理表示，RAMXEED的FeRAM和ReRAM产品已成功切入智能电网、医疗设备、工业自动化和汽车电子等领域，未来还将持续创新，进一步优化在楼宇自动化、云计算、物联网等新兴市场的应用。在这些高需求的环境中，RAMXEED通过提供可靠、持久的存储方案，为客户带来了高附加值的产品选择。