技术咨询
代买器件
商务客服
研发客服根据之前的消息，3nm节点上至少有5代衍生版工艺，分别是N3、N3P、N3S、N3X及N3E，其中N3工艺是最早量产的，但是这版工艺遭到客户弃用，很大可能就放弃了，明年直接上N3E工艺。
对比N5工艺，N3功耗可降低约25-30%，性能可提升10-15%，晶体管密度提升约70%。
N3E在N3的基础上提升性能、降低功耗、扩大应用范围，对比N5同等性能和密度下功耗降低34%、同等功耗和密度下性能提升18%，或者可以将晶体管密度提升60%，密度上甚至更低了一些。
考虑到近年来摩尔定律一直在放缓，70%左右的密度提升看起来还不错，但这是台积电公布的最好水平，指的是纯逻辑，SRAM缓存的密度就只有20%了，N3E还会更低。
然而20%的提升依然是理论上的美好，之前在IEDM会议上公布了更真实的数据，3nm工艺的SRAM缓存在晶体管密度上只比5nm高出5%，指标大幅缩水。
尽管3nm工艺还有10-15%的性能或者25-30%的功耗改进，但是这些指标显然也是非常理想的情况，实际提升也会跟密度一样存在缩水。
文章来源于:21IC 原文链接
本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。