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随着人工智能技术的飞速发展，作为AI芯片的关键技术支持，高频宽存储器（HBM）成为市场上的新宠，导致HBM内存目前面临严重的供不应求局面。
因此存储器行业的领军企业，包括SK海力士、三星和美光，都在积极扩充HBM的产能，以应对这一挑战。
HBM技术以其高速数据传输能力，成为AI芯片设计中不可或缺的一部分，从HBM1到HBM3E，每一代产品都在堆叠层数、传输速度和存储容量上实现了显著提升。
英伟达的AI芯片需求激增，特别是其采用HBM3E存储器规格的H200芯片，进一步推动了HBM市场的火热。
据悉，SK海力士、三星和美光三大厂商今年的HBM供应能力已全部耗尽，且明年的产能也大部分已被预订，为了满足市场需求，这些厂商正在展开一场激烈的产能扩充竞赛。
SK海力士计划大幅增加其第5代1b DRAM的产能，以应对HBM和DDR5 DRAM需求的增加。三星也在今年3月宣布将大幅提高HBM产能，而美光正在美国建设先进的HBM测试生产线，并考虑在马来西亚生产HBM。
在这场竞争中，SK海力士因其HBM3产品性能领先，已成为英伟达的主要供应商，三星则专注于云端客户订单，而美光则跳过HBM3，专注于HBM3E产品的研发和生产。
文章来源于:ECCN 原文链接
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