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研发客服1 引言
本文引用地址：串行器件是嵌入式系统应用中的有效引导介质。用户应用元件也应存储在的串行数据中，串行数据通过 QSPI 与传感器连接。根据用户的选择，sFlash 还可用于存储其他数据。例如，将射频前端校准数据存储到 sFlash 中，并在每次器件启动时射频前端的初始校准周期中通过应用程序进行恢复。本应用手册列出了经验证可与配合使用的 sFlash 器件，介绍了其他 sFlash 器件的先决条件，并提到了任何已知问题。
2 支持串行数据闪存
2.1 AWR1243/xWR1443 ES1.0 和 ES2.0 器件
AWR1243/xWR1443 ES1.0 和 ES2.0 器件仅支持 Spansion 和 Macronix 器件。具体而言，经测试可与 ROM 引导加载程序配合使用的闪存型号包括：
• Spansion S25FL132K0XNFB010
• Macronix MX25L3233F
• Macronix MX25R1635FZNIH0（宽电压器件型号）
2.2 AWR294x、AWR2544、xWR1642、xWR1843、xWR6843 器件和 AWR1243/xWR1443 ES3.0 器件
有几个因素决定了 AWR2xxx/xWR1xxx ROM 引导加载程序是否可以与 AWR2xxx/xWR1xxx 器件上的 SFLASH
交互和搭配使用。
2.2.1 先决条件
有关通过 QSPI 接口与 SFLASH 进行时序和连接要求的详细信息，请参阅器件数据表。
对于所有命令（包括正常读取命令），SFLASH 器件型号应支持 40MHz 运行频率。对于 xWR6843 器件，SFLASH 器件型号应支持所有命令的 80MHz 运行频率。
SFLASH 支持 SFDP 命令，并使用与 JEDEC 兼容的有关闪存功能和命令集的信息进行响应。表 2-1 中列出了解释的关键字段。
表 2-1. 关键字段
•地址字节数 = 3（始终）。
• 对于单一数据线路 SPI 读取 – 读取命令代码 (0xB)，读取虚拟周期（8 位）。
2.2.2 ROM 辅助下载到闪存（器件管理模式 - SOP5）
ROM 辅助下载应支持所有闪存型号，这些变体允许使用 1 个虚拟字节和 24 位寻址的“内存映射模式”和“页面
程序命令 (0x2)”。
除了写入闪存之外，ROM 引导加载程序 (RBL) 还支持设置 Spansion 和 Macronix 型号的“四路使能”位（仅限
于某些特定的器件型号）。
仅适用于 AWR294x/AWR2544
AWR294x/AWR2544 ROM 引导加载程序 (RBL) 具有两个过程，其中应用程序（闪存编程器）在 SOP5 模式下通过 UART 加载到 RAM 中。然后，此应用程序负责通过 UART 读取实际映像（要刷写的图像）并将其下载到闪存。
AWR294x/AWR2544 RBL 不支持设置 sFlash 的“四路使能”位。如果闪存型号的 SFDP 标头包含 QE 位位置的信息（以及四模式），则 RBL 将执行并读取该位置以启用/禁用四路模式选项。否则，如果 QE 位位置不存在且SFDP 标头中支持四路模式，RBL 将假定客户已启用 QE 位并转移到四路模式。
2.2.3 从闪存进行基于 ROM 的加载（功能模式 – SOP4）
ROM 引导加载程序根据 SFLASH 发布的用以响应 SFDP 命令的最高功能模式（四通道、双通道或单通道）执行从闪存读取数据的操作。使用的命令由 SFDP 响应发布。因此，如果支持四路读取，预期是闪存中的四路使能(QE) 位已置位。ROM 引导加载程序使用四路模式来执行读取操作。
2.2.4 建议
闪存供应商具有可订购的器件型号，并设置了四路使能 (QE) 位。 建议使用这些型号来与 毫米波 SOC 配合使用。
2.3 已知问题（xWR1642 ES1.0 和 xWR6843 ES1.0 器件）
XWR1642 预制器件中的 ROM 引导加载程序与支持扩展寻址模式的 SFLASH 型号不兼容。具体而言，SFDP 命令响应的“地址长度数”字段不能为非零。XWR1642 器件中的 SFLASH 可寻址区域总量为 8MB。因此，“地址长度个数”=0（对应 3 字节地址长度）满足可寻址范围。但是，兼容性问题与允许 3 或 4 字节地址长度的型号有关。
XWR1642 器件的量产版本将解决此不兼容问题。
2.4 闪存型号
2.4.1 闪存型号
支持的闪存器件为 xWRL6432、xWRL1432、xWR1642 ES2.0、xWR1842 ES1.0、xWR1443 ES3.0 以及xWR6843 ES1.0 & ES2.0 器件。表 2-2 展示了经测试可正常工作的闪存型号。
表 2-2. 已测试的闪存型号
请注意，对于 AWR294x 和 AWR2544 器件，上表中的闪存器件应正常工作。对于上表中的任何闪存型号，QE 位
需要由供应商设置或在 sbl_uart_uniflash（闪存写入器）中手动设置。有关编写定制闪存驱动程序的更多信息，请
参阅 MCU Plus SDK 自述指南（适用于 AWR294x 和 AWR2544）。此外，表 2-3 展示了经测试可正常工作的
AWR294X ES1.0、AWR294X ES2.0 和 AWR2544 器件支持的闪存器件。
表 2-3. AWR294x/AWR2544 器件的已测试闪存型号
