红外热成像仪是采用红外线探测技术，通过探测器和光电转换器件接收目标物体的红外辐射能量分布图形并转变为电信号的一种设备。它利用物体发出的红外辐射来测量温度分布，因此又称作红外测温仪或红外热像仪。

随着科学技术的发展，特别是现代微电子技术、计算机技术的引入和发展，使得传统意义上的红外测温技术有了新的突破和提高。目前常用的非接触式测温方法有：黑体辐射法、半导体致冷原理法、微波表面发射率法和光声效应等；其中最常用的是黑体和半导体致冷原理法。

1、黑体辐射特性

当加热到某一温度时，物体吸收的热量使物体本身向外辐射的热量减少（或停止），这时的温度称为该点的温度Tm；而从物体发射出的热量与吸收热量相比可以忽略不计时（通常小于1J/kg·K），此时物体的温度称为该点的表观温度Te 。

由于各种物质的分子运动论不同，所以每种物质都有其特有的光谱型谱线特征及吸收和发射的功率密度值（即吸收系数和功率密度）。根据这些特性可选用适当的光源进行测量.

2、晶体硅材料

对于一般气体来说.由于其分子的振动频率接近于室温下的晶体的谐振频率范围之内.所以它们在加热过程中产生的红外线能量基本上可以忽略不计.而对于固体来说.如晶体硅材料等则不然.因为它们的导热性较差 .故在加热的过程中会产生较大的红外线能量损耗 .从而影响测量的精度和质量稳定性。

3、半导体材料

对于半导体来说 .由于它的电子能级较高 ，故其产生的电磁波长较长 ，因而在加热过程中产生较大能量的损耗 （主要是热量的散失）。

4、其它

如陶瓷材料 、金属玻璃 等

上述的各种材料的性能各有特点 .但就使用效果来讲 ，以晶体硅材料和LED为。

5、光学系统

用于检测的温度范围为 -150°C～+1500°C 范围内的高温热像图显示仪器 。主要用于工业现场对高温部件的温度检测和控制以及军事领域中的应用。