多个奖项高度认可新思科技在推动先进工艺硅片成功和技术创新领导方面所做出的卓越贡献

摘要：

• 新思科技全新数字与模拟设计流程认证针对台积公司N2和N3P工艺可提供经验证的功耗、性能和面积（PPA）结果。

• 新思科技接口IP组合已在台积公司N3E工艺上实现硅片成功，能够降低集成风险，加快产品上市时间，并针对台积公司N3P工艺提供一条快速开发通道。

• 集成3Dblox 2.0标准的全面多裸晶芯片系统解决方案提高了快速异构集成的生产率。

• 新思科技携手Ansys和是德科技（Keysight）合作开发针对台积公司N4P工艺的射频设计参考流程，通过可互操作的前后端设计流程提供业界领先的性能和功耗。

  
  

加利福尼亚州桑尼维尔，2023年11月14日 – 新思科技近日宣布，被评为“台积公司开放创新平台（OIP）年度合作伙伴” （Open Innovation Platform®，OIP）并获得数字芯片设计、模拟芯片设计、多裸晶芯片系统、射频（RF）设计和接口IP五项大奖。新思科技与台积公司长期稳固合作，持续提供经过验证的解决方案，包括由Synopsys.ai™全栈式AI驱动型EDA解决方案支持的认证设计流程，帮助共同客户加快创新型人工智能、汽车和高性能计算设计的开发和硅片成功。在2023年台积公司北美OIP生态系统论坛上，新思科技展示的解决方案数量远超从前，进一步突显了新思科技与台积公司及其合作伙伴面向台积公司先进工艺和3DFabric^TM技术的成熟解决方案方面的紧密合作。

台积公司设计基础架构管理事业部负责人Dan Kochpatcharin表示：“台积公司和新思科技在为开发团队提供创新解决方案方面取得了巨大进步，成功开发了基于全新先进工艺技术的复杂设计。我们的合作伙伴奖项旨在表彰包括新思科技在内的台积公司OIP生态系统合作伙伴所作出的贡献，推动基于台积公司技术的下一代高性能设计的发展，并实现大幅提升结果质量并缩短成果交付时间。”

新思科技EDA事业部战略与产品管理副总裁Sanjay Bali表示：“台积公司的认可进一步证明了新思科技致力于为业界提供领先解决方案的承诺，包括Synopsys.ai全栈式AI驱动型EDA解决方案和经过硅验证的IP解决方案，助力芯片制造商加速将差异化产品推向市场。我们与台积公司长期携手合作，将继续地提供全新EDA和IP解决方案，推动半导体行业高效过渡到2纳米设计和多裸晶芯片系统设计，同时加速AI驱动的模拟设计迁移。这些重大的技术飞跃有助于我们的客户实现并超越他们的设计和生产率目标。”

过去一年，两家公司通力合作为共同客户带来了诸多极具业界影响力的设计解决方案，并获得了五项大奖，包括：

• 开发2纳米和N3P设计基础架构：新思科技针对台积公司N2和N3P工艺技术经产品验证的数字与模拟设计流程，提升了高性能计算、移动和AI设计的结果质量。

• 接口IP：新思科技针对台积公司N3E工艺开发了广泛、经过硅验证的接口IP组合，可加速N3P工艺上的芯片开发，为希望降低集成风险，并加速实现首次硅片成功的芯片制造商提供强大竞争优势。

• 开发毫米波设计解决方案：新思科技携手Ansys和是德科技共同开发的新思科技射频参考设计流程，提供了一个开放的前后端完整设计流程，具有性能、功耗和生产率优势。

• 开发3Dblox设计原型解决方案：新思科技全面的多裸晶芯片系统解决方案集成了3Dblox标准，实现了早期的架构探索和可行性分析、高效的芯片/封装协同设计、强大的die-to-die连接以及更高水准的制造和可靠性。

• 合作伙伴协作：新思科技、Ansys和是德科技共同开发了针对台积公司领先的N16、N6和N4P工艺的射频参考流程，这些重要的合作也备受认可。
  

  
  

  其他资源

• 新思科技携手台积公司加速2nm工艺创新，为先进SoC设计提供经认证的数字和模拟设计流程

  
  

• 新思科技提供跨台积公司先进工艺的参考流程，助力加速模拟设计迁移

• 新思科技面向台积公司N5A工艺技术推出业内领先的广泛车规级IP组合

• 新思科技携手台积公司简化多裸晶系统复杂性，推出面向台积公司N3E工艺的"从架构探索到签核" 统一设计平台和经验证的UCIe IP

  
  

• 新思科技携手是德科技、Ansys面向台积公司4 纳米射频FinFET工艺推出全新参考流程，助力加速射频芯片设计