【导读】据台媒《经济日报》报道，存储涨价狂潮蔓延。NAND Flash、标准型DRAM报价领头劲扬之后，以DDR3利基型存储为主的嵌入式内存（eMMC）、多晶片封装（MCP）等报价也跟进走扬，涨势可望一路至12月，华邦、晶豪科、钰创等台厂接棒迎接存储多头大行情。
据台媒《经济日报》报道，存储涨价狂潮蔓延。NAND Flash、标准型DRAM报价领头劲扬之后，以DDR3利基型存储为主的嵌入式内存（eMMC）、多晶片封装（MCP）等报价也跟进走扬，涨势可望一路至12月，华邦、晶豪科、钰创等台厂接棒迎接存储多头大行情。
业界人士分析，虽然下半年终端需求未出现过往传统旺季效应，但近期PC OEM厂及手机厂存储库存已回到正常水位，渠道库存则低于季节性水准。随着三星等主要存储芯片厂持续减产，业界对本季DRAM及NAND Flash价格上涨已有高度共识，明年上半年价格可望维持涨势。
就需求面来看，近期AI应用进入成长爆发阶段，包括智能电网、智能水表、工厂自动化等采购标案陆续展开，利基型DRAM率先出现价格反弹，x16规格2Gb DDR3的9月合约价先起涨约个位数百分比，10月合约价延续涨势，后续将至少逐月上涨至年底，eMMC及eMCP价格止跌回升且拉货动能转强，市场景气转趋正面发展。
业者预期，利基型存储价格受惠于上游原厂持续减产、AI应用带动产能调配并进一步去化库存、手机及物联网等应用加入AI功能后，推升单机搭载容量拉高五成等综效下，配合DRAM及NAND Flash供应趋紧，x16规格利基型DRAM价格上涨将看到明年上半年，LPDDR及eMMC、eMCP等价格也因供给收紧而出现涨价行情。
以存储市场供需变动来看，存储厂去年第4季开始减产以来已长达12个月，明年仍会持续减产，随着减产带来的供需平衡情况显著，原厂强势拉抬价格决心明确，现货价在第4季因市场惜售及备货需求的双重效应下提前迎来上涨行情，模组业者预估第4季DRAM合约价将上涨12%至15％，NAND Flash合约价也会有逾5％涨幅。
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