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2017年中国半导体预料将由目前的半导体封测主导的全球分工格局逐步走向集成电路设计、集成电路制造，以及材料与设备逐步突破的方向全面发展，不但产业链趋于完整，集群效应也开始显现，等同中国半导体业的发展即将再下一城。

2015至2020年大陆半导体产业规模的年复合成长率将超过两成，远高于全球平均3-5%的增幅。 而随着中国2025制造、互联网+等战略实施之下，大陆半导体产业在全球的市占率更将进一步扩大，显示产业黄金发展期已至。

事实上，物联网、汽车电子带来巨大的新兴市场，将给予中国半导体厂商更大的空间与机会，更何况中国本身是全球最大的下游终端需求与加工市场，存在巨大的国产替代空间，显然中国相对于日本、南韩、台湾的独有优势，即是庞大的内需市场。 藉由市场的磁吸效应，加上提供优渥的薪酬与其他配套福利，正不断吸引来自于全球的技术与人才。 再者，摩尔定律开始放缓，也给予中国厂商更长的学习时间，使其与国际大厂的差距获得缩小的机会。

除此之外，政策支持力道持续不间断，特别是国家集成电路产业投资基金发挥关键的作用，截至2016年8月底，该基金承诺投资超过638亿元人民币，带动社会投资超过1500亿元人民币，而投资中国企业龙头公司的家数达到27家，投资项目为37个，更重要的是，国家集成电路产业投资基金不仅在产业链重要环节扶植重点公司，也战略性地引导差异化竞争， 提高产业发展的效率。

在细项产业发展方面，2017至2018年中国内存产业将进行0－1的突破，其中紫光集团动作频频，2016年底宣布总额高达240亿美元的投资案，计划在武汉东湖高新区兴建全球单一最大3D NAND Flash厂，将由旗下的长江存储来执行此规画，第一期计划预定2018年建成启用投产，2020年全部完工，每月产能将达到30万片。

短期内首要观察的是紫光集团的3D NAND Flash是否能顺利于2018年投产，毕竟其技术来源是以Spansion为主，是否能由其过去在MirrorBit、SLC NAND等技术优势延伸至3D NAND Flash，尚有疑虑。

不过中长期来说，中国在内存市场势必将找到突破口，也将打破全球内存市场由南韩、日本、美国等业者寡占的局面。

至于2017年中国晶圆代工的发展主轴仍将以中芯国际为重，除持续抢攻先进制程、成熟制程、特殊制程的布局外，年产能大幅扩充将是营运的重心，中芯国际除宣布在上海厂区投资兴建新的12吋集成电路生产线共计新增总投资近千亿元人民币之外，同时也将扩充位于天津西青经济技术开发区8吋厂的产能，更将在深圳新设12吋晶圆生产线，显示采取产能充分扩张政策。

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