美光:AI需求将激增,EUV DRAM将于2025年投产

发布时间:2024-10-25  

【导读】随着人工智能(AI)技术从云服务器扩展到消费设备,对AI的需求不断增长,美光科技已将其高带宽内存(HBM)生产能力完全分配给2025年。公司副总裁兼美光中国台湾负责人Donghui Lu表示,美光正利用AI需求的激增,并预计2025年性能将有所提高。


美光:AI需求将激增,EUV DRAM将于2025年投产


随着人工智能(AI)技术从云服务器扩展到消费设备,对AI的需求不断增长,美光科技已将其高带宽内存(HBM)生产能力完全分配给2025年。公司副总裁兼美光中国台湾负责人Donghui Lu表示,美光正利用AI需求的激增,并预计2025年性能将有所提高。


Donghui Lu强调,特别是大型语言模型的出现,对内存和存储解决方案产生了前所未有的需求。作为全球最大的存储制造商之一,美光完全有能力利用这一增长。他认为,尽管最近AI投资激增,主要集中在建立新的数据中心以支持大语言模型,但这一基础设施仍在建设中,需要几年时间才能完全开发。


美光科技预计,下一波AI增长将来自将AI集成到智能手机和个人电脑等消费设备中。这一转变将需要显着增加存储容量以支持AI应用。Donghui Lu介绍,HBM涉及先进封装技术,它结合了前端(晶圆制造)和后端(封装和测试)工艺元素,给行业带来新的挑战。


在竞争激烈的存储行业中,公司开发和改进新产品的速度至关重要。Donghui Lu解释说,HBM生产可能会蚕食传统内存生产,因为每个HBM芯片都需要多个传统内存芯片,这可能会给整个行业产能造成压力。他指出,内存行业供需之间的微妙平衡是重大问题,并警告生产过剩可能导致价格战和行业衰退。


Donghui Lu强调了中国台湾在美光AI业务中的作用,该公司在中国台湾的重要研发团队和制造设施对于HBM3E开发和生产至关重要。美光HBM3E产品通常与台积电的CoWoS技术集成,这种密切合作提供了显著优势。


认识到EUV技术对于提高存储芯片性能和密度的重要性,美光已决定推迟在1α和1β节点的采用,选择优先考虑性能和成本效益。Donghui Lu强调了EUV设备的高成本和复杂性,以及为适应它需要在制造过程中进行的重大改变。美光的主要目标是以具有竞争力的成本生产高性能存储产品。他表示,推迟采用EUV使他们能够更有效地实现这一目标。


美光一直表示,其8层和12层HBM3E比竞争对手产品功耗低30%。公司计划于2025年在中国台湾大规模生产将采用EUV的1γ节点。此外,美光还计划在其日本广岛工厂引入EUV,尽管时间稍晚。


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