2024年7月24日 – 专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC™ G2 。CoolSiC™ G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新篇章，适用于、能量储存系统、电动汽车充电、电源和电机驱动应用。

贸泽供货的英飞凌CoolSiC™ G2 MOSFET可在所有常见电源方案组合(AC-DC、DC-DC和DC-AC)中树立高质量标杆，并进一步利用英飞凌独特的XT互联技术来提高半导体芯片的性能和散热能力(例如采用TO-263-7、TO-247-4分立封装的型号)。CoolSiC™ G2 MOSFET 650V和1200V在不影响质量和可靠性的前提下，将的关键性能(例如存储能量和电荷)提高了20%，不仅提升了整体能效，还进一步推动了低碳化进程。G2的散热能力提高了12%，并将CoolSiC™的SiC性能提升到了一个新的水平。其快速开关能力可在所有工作模式下将功率损耗降低5%到30%(取决于负载条件)，具有出色的节能效果。

CoolSiC™ G2的新一代SiC技术能够加速设计成本更加优化，且更加紧凑、可靠、高效的系统，从而节省能源并减少现场每瓦功率的二氧化碳排放量。