目标 2029 年量产 MRAM 内存,力积电将与日企 Power Spin 合

发布时间:2024-02-08  

IT之家 2 月 8 日消息,据日经新闻近日报道,晶圆代工企业计划今年上半年与日企 Power Spin 达成合作,目标 2029 年实现 MRAM 内存量产。双方的合作中,Power Spin 将提供 MRAM 相关 IP 授权,进行进一步的量产化研发和试产,最终达到量产目标。

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▲ 商标

据了解,Power Spin 由日本东北大学于 2019 年成立,持有 STT-MRAM 相关技术。

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▲ Power Spin 商标

MRAM 内存是一种非易失性内存,其在拥有高速读写性能的同时可在断电下保存数据;而且 MRAM 的耗电量相较现有内存也更少,理论上可低至 1/100。不过 MRAM 也面临多重自身问题:成本过高、耐用性与可靠性仍需进一步验证。

在生成式 AI 浪潮来袭的今天,数据中心需求大量内存,能耗优异的 MRAM 因此成为密切关注对象,相关需求增加。日经认为,这是力积电找上 Power Spin 合作的重要背景原因。

力积电计划使用在日合资公司的二期生产线生产 MRAM 内存,以推动这一新型内存的普及。该合资公司由力积电与日本 SBI 控股于去年成立,计划总投资 8000 亿日元(IT之家注:约合 388 亿人民币)在日本建设两期生产线,首期将于 2027 年建成投产,二期则预估 2029 年投入使用。

MRAM 现已成为半导体代工业界的前沿热点:三星之前宣布计划 2026 年量产 8nm 车用 eMRAM;台积电近期也表示下一代 SOT-MRAM 内存研发成功。Ever Spin 首席技术官远藤哲郎称,MRAM 内存市场规模已于 2022 年达到 300 亿日元(约合 14.6 亿人民币)。


文章来源于:电子产品世界    原文链接
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