onsemi NXH006P120MNF2PTG半桥SiC模块

发布时间:2023-08-31 14:22  

安森美 (onsemi) NXH006P120MNF2PTG半桥SiC模块具有两个6mΩ 1200V SiC MOSFET开关和1个热敏电阻,采用F2封装。这些SiC MOSFET开关采用M1技术,由18V至20V栅极驱动。NXH006P120MNF2模块采用平面技术,裸片热阻低,因此可靠性高。典型应用包括直流-交流转换、直流-直流转换、能量存储系统、UPS、交流-直流转换、电动汽车充电站和太阳能逆变器。

特性

  • 稳健的M1平面SiC MOSFET技术
  • 采用平面技术,裸片热阻低,因此可靠性高
  • 18V至20V栅极驱动
  • 20V工作电压,可降低损耗
  • 18V,与其他模块兼容

规范

  • 工作结温范围:-40°C至+175°C
  • 漏极-源极电压:1200V
  • 最大功耗:950W
  • 连续漏极电流:304A

应用

  • 直流-交流转换
  • 直流-直流转换
  • 交流-直流转换 
  • UPS
  • 储能系统
  • 电动汽车充电站
  • 太阳能逆变器
文章来源于:ECCN    原文链接
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