安森美 (onsemi) NXH006P120MNF2PTG半桥SiC模块具有两个6mΩ 1200V SiC MOSFET开关和1个热敏电阻，采用F2封装。这些SiC MOSFET开关采用M1技术，由18V至20V栅极驱动。NXH006P120MNF2模块采用平面技术，裸片热阻低，因此可靠性高。典型应用包括直流-交流转换、直流-直流转换、能量存储系统、UPS、交流-直流转换、电动汽车充电站和太阳能逆变器。

特性

• 稳健的M1平面SiC MOSFET技术
• 采用平面技术，裸片热阻低，因此可靠性高
• 18V至20V栅极驱动

• 20V工作电压，可降低损耗
• 18V，与其他模块兼容

规范

• 工作结温范围：-40°C至+175°C
• 漏极-源极电压：1200V

• 最大功耗：950W
• 连续漏极电流：304A

应用

• 直流-交流转换
• 直流-直流转换
• 交流-直流转换 
• UPS

• 储能系统
• 电动汽车充电站
• 太阳能逆变器