国内或再添12英寸厂;Q3存储器价格涨幅预测;160亿半导体项目新进展

发布时间:2021-06-12  

国内或再添一座12英寸晶圆厂

6月8日,华润微发布公告,全资子公司华微控股拟与国家大基金二期及重庆西永微电子产业园区开发有限公司共同签署《润西微电子(重庆)有限公司投资协议》,发起设立润西微电子(重庆)有限公司(暂定名)(以下简称“项目公司”)。

该项目公司注册资本拟为50亿元,由项目公司投资建设12吋功率半导体晶圆生产线项目。其中,华微控股以自有资金出资9.5亿元,出资完成后占项目公司注册资本的19%。项目公司的出资方式及出资额如下:


△图片来源:华润微公告截图

据公告披露,12吋功率半导体晶圆生产线项目的计划投资总额为75.5亿元,建成后预计将形成月产3万片12吋中高端功率半导体晶圆生产能力,并配套建设12吋外延及薄片工艺能力。

IC设计厂最新营收排名

TrendForce集邦咨询表示,受到晶圆代工吃紧影响,刺激IC设计业者积极争取晶圆产能,以应对各类终端应用的订单需求,进而推升2021年第一季全球前十大IC设计业者营收表现亮眼。

其中,高通(Qualcomm)第一季手机部门,以及射频前端、物联网与车用部门皆有成长表现,营收达62.8亿美元,年成长53.2%,稳居全球第一。受惠于虚拟货币掀起全球挖矿热潮,英伟达(NVIDIA)本季营收挤下博通,位居第二名。而列居第五名的超威(AMD)本次年成长高达92.9%,为前十大排名中成长率最高的业者。

值得注意的是,由于加密货币市场波动极大,加上部分国家透过政策加以严密监管,这对于英伟达或超威在游戏显卡的营收表现,或成为隐含的不确定性。

整体而言,由于晶圆代工涨价成本已经反映在芯片价格上,加上需求动能不减,尽管因印度第二波疫情冲击,致使中国手机品牌厂下修生产目标,但在目前长短料的状况未解,品牌厂仍需将库存维持在安全水位的情形下,对于IC设计厂第三季的拉货力道并不会产生太大改变。

Q3存储器价格涨幅预测

全球市场研究机构TrendForce集邦咨询表示,受各终端买方于今年上半年积极备库存的带动,使得存储器原厂库存偏低,DRAM原厂平均库存仅3~4周;NAND Flash供应商平均库存则为4~5周。

面对第三季服务器客户欲加强采购力道,原厂针对各类存储器产品报价并无降价求售的必要性,故TrendForce集邦咨询预估,第三季整体DRAM价格将续涨约3~8%;NAND Flash则受enterprise SSD及wafer需求攀升,整体价格季涨幅将由原先的3~8%,上调至5~10%。

整体而言,TrendForce集邦咨询预期,下半年中国智能手机品牌厂将放缓mobile DRAM与NAND Flash的采购,但其他终端应用需求依旧强劲,故整体存储器合约价格仍不易下跌。而在PC与NB领域,后续短料的供给达成率(fulfillment rate)变化,将成为PC OEM厂开始审视其长料库存的指标,值得注意的是,由于PC OEM厂的DRAM库存较高,下半年PC DRAM涨幅将因此明显收敛。

深圳加快中芯国际12英寸产线建设

6月9日,深圳市发改委发布《深圳市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》(以下简称“《纲要》”)。

《纲要》中提到,要强化集成电路设计能力,优化提升芯片制造生产线,加快推进中芯国际12英寸晶圆代工生产线建设,积极布局先进制程集成电路制造项目,增强封测、设备和材料环节配套能力,前瞻布局化合物半导体产业,高水平建设若干专业集成电路产业园区。

今年3月,中芯国际宣布在深圳再建一座12英寸晶圆厂。根据规划,项目的新投资额估计为23.5亿美元(约合人民币153亿元),重点生产28纳米及以上的集成电路和提供技术服务,旨在实现最终每月约40000片12吋晶圆的产能,预期将于2022年开始生产。

博世12英寸晶圆厂落成

近日,博世(BOSCH)耗资10亿欧元(约12亿美元)在德国萨克森州德累斯顿建设的新晶圆厂正式落成,这也是博世有史以来规模最大的投资。

报导指出,博世宣称该工厂建造的芯片将用于最新电动车和自驾车应用。根据计划,新芯片工厂预计7月开始生产电动工具芯片,并从9月开始生产汽车芯片。博世新芯片工厂于2018年6月动工,耗时3年完成,将主要生产12英寸晶圆,并能提供700个工作职缺。

据欧盟发展计划,到2030 年,欧盟在全球的芯片生产市占率达20%,而博世工厂亦借此计划获得2亿欧元(约2.43亿美元)的资金援助。

湖南三安半导体项目新进展

据长沙高新区网站报道,目前,位于长沙高新区的湖南三安半导体项目即将迎来新的进展,报道指出,该项目一期部分厂房已完工,预计6月底首批设备点亮。

湖南三安半导体项目是省市重点工程,总投资160亿元,总占地面积约1000亩,主要建设具有自主知识产权的以碳化硅、氮化镓等宽禁带材料为主的第三代半导体全产业链生产与研发基地,项目建成达产后有望形成超百亿元的产业规模,并带动上下游配套产业产值预计逾千亿元。

该项目建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目,包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链,研发、生产及销售6吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiC MOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。

传英特尔收购SiFive

根据外媒消息,半导体初创企业SiFive收到了包括英特尔在内的多家公司的收购要约,其中英特尔出价超过20亿美元(约127亿元人民币)。知情人士透露,目前对话还在早期阶段,尚不能保证一定会达成协议。

SiFive成立于2015年,是全球首家基于RISC-V定制化的半导体企业,由提出RISC-V指令集架构的伯克利研究团队创建。根据公开信息显示,SiFive的RISC-V架构处理器已经拥有超过100项执照。同时,全球前10大半导体企业中,有6家都是SiFive的顾客。

Intel收购SiFive这件事,目前是八字才刚拿起笔,最终能否顺利拿下还不明朗,毕竟英伟达能否顺利拿下Arm也尚未可知。而关于Intel和英伟达的这两项收购,有部分从业者担心被收购的IP授权企业是否还能够保持中立,如果这两项收购都最终获得通过,也许未来的芯片市场格局将会变得更加复杂。

通美晶体拟上科创板

6月6日,据北京监管局披露,海通证券发布关于北京通美晶体技术股份有限公司(简称“通美晶体”)首次公开发行股票并在科创板上市之辅导基本情况表。

据披露,海通证券和通美晶体于2021年4月签署《北京通美晶体技术股份有限公司与海通证券股份有限公司首次公开发行股票并上市辅导协议》,通美晶体拟首次公开发行股票并在科创板上市。

资料显示,北京通美晶体技术有限公司创建于1998年9月,位于北京市通州工业开发区,注册资金3000余万美元,占地近5万平方米,是位于美国加州的美国晶体技术有限公司(AXT,Inc.)独资拥有的外资企业。

公司主要从事包括砷化镓、磷化铟等在内的Ⅲ-Ⅴ族化合物及单晶锗半导体衬底材料的制造,产品主要应用于无线光纤通讯、红外光学、射线及光探测器、航天太阳能等领域。

封面图片来源:拍信网

文章来源于:全球半导体观察    原文链接
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