当地时间4月11日，为增加IGBT等功率半导体产品产能，日本半导体大厂瑞萨电子正式重启此前已经关闭的甲府工厂。

瑞萨电子表示，因看好不断增长的电动汽车（EV）市场需求，为了增加功率半导体产能，已重启甲府工厂，并于当日举行了开幕典礼。

资料显示，在2014年停止运营之前，甲府工厂拥有6英寸和8英寸晶圆产线。2022年5月，为了应对日益增长的功率半导体需求，瑞萨电子宣布重新启用该工厂。

2022年，瑞萨电子对该工厂进行了价值900亿日元的投资，并导入功率半导体专用的12英寸产线。

瑞萨电子表示，此次重启进行试产等作业后，甲府工厂将在2025年开始大规模生产IGBT和MOSFET等功率半导体产能，使瑞萨电子目前的功率半导体产能翻一番。 

当前，在消费电子、5G通讯、新能源汽车、数据中心以及光伏等产业需求的不对推动下，碳化硅、氮化镓等第三代化合物半导体市场规模开始爆发。

全球市场研究机构TrendForce集邦咨询此前的调查显示，2023年整体SiC功率元件市场规模达22.8亿美元，年成长41.4%。受惠于下游应用市场的强劲需求，TrendForce集邦咨询预期，至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元，其主流应用仍倚重电动汽车及可再生能源。

氮化镓方面，到2026年，全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长至13.3亿美金，复合增长率高达65%。集邦咨询预计至2025年左右，GaN将小批量地渗透到低功率OBC和DC-DC中，再远到2030年，OEM或考虑将该技术引入牵引逆变器。

封面图片来源：拍信网