基本应用示例

双向 ESD 防护器件一般是对称的（图1）。它们既可以用于传输双极性信号的信号线 (-Vwm ≤ Vsignal ≤ V wm )，也适用于单极性信号 (0 ≤ Vsignal ≤ V wm )。

单向 ESD 防护器件是非对称的（图2），一般只用于单极性信号线 (0 ≤ Vsignal ≤ V wm )。实际中，类似于齐纳二极管，它们反向用在电路中。行业的惯例是将电压和电流的方向 指定为正方向，例如应用中的电压。

电流-电压（I-V）特性类型（比例仅供参考）：

电流–电压（I-V）特性概要

TVS首要选择参数：

CL – 寄生电容 – 对高速和射频应用非常重要，对通用和低速应用而言较为次要。

VWM – 最高工作电压 – 必须大于或等于被保护导线上的信号在指定的操作期间的最 高电压（参见图6）。常见防护器件的VWM一般与系统标准以及I/O电压（VIO、Vbus）相匹 配，例如2.1 V、3.3 V、5 V。

Vcl – 嵌位电压 – 对防护性能最为重要的指标。对于给定的冲击级别（ITLP 、IPP）1)，Vcl 必须低于IC的失效电压（如果预知的话），否则越低越好。

进一步理解 I-V 曲线参数 ：

其他器件参数/特性

Linearity – 在和射频收发器相关的应用中，例如手机，信号线上的ESD防护器件也会 产生谐波干扰，因此EMI/EMC可能是一个须要关注的问题。针对线性度进行优化了的 ESD防护器件可以减少谐波失真和互调干扰。