【导读】供应链消息,受到上游原厂延续扩产策略及减少供给产出影响,存储市场价格维持上扬,DRAM及NAND Flash价格全面调涨,NAND Wafer 512Gb价格已连续2个月呈现20%涨幅。
供应链消息,受到上游原厂延续扩产策略及减少供给产出影响,存储市场价格维持上扬,DRAM及NAND Flash价格全面调涨,NAND Wafer 512Gb价格已连续2个月呈现20%涨幅。
尽管第四季度的季节性需求与出货高峰进入尾声,但业界排队采购的现象依然热度不减,DRAM和NAND的内存现货价格仍在继续上涨。
利基型DRAM在终端客户重启拉货带动,DDR3现货价从今年8月一路上涨。在大厂全面转进DDR5效应下,明年上半年利基型DRAM市场将有望开始起涨。
目前全球DRAM大厂都开始加大DDR5产能,全力抢攻明年将成为市场主流的DDR5商机,同时也开始缩减DDR4位元产出量,让利基型DRAM市场供给持续减少,加速市场库存去化。业界普遍预期,明年DDR4/3规格价格将可望在上半年开始起涨,一扫过去超过一年以来的市场低迷。
SK海力士在第三季度得益于HBM和DDR5的需求增加,DRAM业绩成功扭亏为盈,但NAND Flash业绩还表现不佳,减产预计至少持续到2024年上半年。据韩国产业界人士表示,从供应链反馈,SK海力士的减产会至少到2024年的6月份。
三星电子预计存储市场2024年复苏,重点销售HBM等高附加值产品。
随着AI时代的到来,预计HBM需求将持续增长,然而由于相关业者的扩产速度跟不上需求增长速度,有机构指出,HBM的供不应求局面可能要持续好几年。
从手机出货量来看,市场回温明显,新机补货动能显著上升,让各大手机对于2023年第四季度充满信心,无论是补库存还是新机备货,都比预计的要更加强势。
韩国数据显示,9 月份芯片产值环比增长12.9%,引领韩国工业产值在9月份环比增长1.1%,进而连续两个月环比增长。
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