【导读】供应链消息，受到上游原厂延续扩产策略及减少供给产出影响，存储市场价格维持上扬，DRAM及NAND Flash价格全面调涨，NAND Wafer 512Gb价格已连续2个月呈现20%涨幅。

供应链消息，受到上游原厂延续扩产策略及减少供给产出影响，存储市场价格维持上扬，DRAM及NAND Flash价格全面调涨，NAND Wafer 512Gb价格已连续2个月呈现20%涨幅。

尽管第四季度的季节性需求与出货高峰进入尾声，但业界排队采购的现象依然热度不减，DRAM和NAND的内存现货价格仍在继续上涨。

利基型DRAM在终端客户重启拉货带动，DDR3现货价从今年8月一路上涨。在大厂全面转进DDR5效应下，明年上半年利基型DRAM市场将有望开始起涨。

目前全球DRAM大厂都开始加大DDR5产能，全力抢攻明年将成为市场主流的DDR5商机，同时也开始缩减DDR4位元产出量，让利基型DRAM市场供给持续减少，加速市场库存去化。业界普遍预期，明年DDR4／3规格价格将可望在上半年开始起涨，一扫过去超过一年以来的市场低迷。

SK海力士在第三季度得益于HBM和DDR5的需求增加，DRAM业绩成功扭亏为盈，但NAND Flash业绩还表现不佳，减产预计至少持续到2024年上半年。据韩国产业界人士表示，从供应链反馈，SK海力士的减产会至少到2024年的6月份。

三星电子预计存储市场2024年复苏，重点销售HBM等高附加值产品。

随着AI时代的到来，预计HBM需求将持续增长，然而由于相关业者的扩产速度跟不上需求增长速度，有机构指出，HBM的供不应求局面可能要持续好几年。

从手机出货量来看，市场回温明显，新机补货动能显著上升，让各大手机对于2023年第四季度充满信心，无论是补库存还是新机备货，都比预计的要更加强势。

韩国数据显示，9 月份芯片产值环比增长12.9%，引领韩国工业产值在9月份环比增长1.1%，进而连续两个月环比增长。

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