台积电中科 2nm 制程晶圆厂交地再度延迟

发布时间:2023-03-15  

据业内信息报道,台湾地区中科管理局在本周一再度宣布延后 2nm 的开发日程,预计今年第四季度才能完成取地及相关计划作业程序,大约 11 月交地后公共工程与厂商方可同步动工。

据悉,台积电 2nm 晶圆厂区分别计划在竹科宝山、中科设厂。台积电总裁魏哲家在年初的法说会上表示,2nm 制程工艺的进度比之前预估的要更好,明年维持风险试产,预计两年后量产。

根据公开的资料显示,台积电 2nm 晶圆厂中科台中园区二期的扩建案共规划了两期共计四座晶圆厂,本来是计划 2023 年就开始动工并最快与明年年底前将第一座 2nm 投产。

根据台积电的财报数据显示,上个月合并总营收约为 1631.74 亿新台币(约 53.38 亿美金),环比减少 18.4%,同比增长 11.1%,前两个月的总营收约 3632.25 亿新台币(约 118.82 亿美金),同比增长 13.8%。

2nm 制程工艺是在 3nm 制程工艺之后的下一个微缩制程,台积电和英特尔都已经在其战略上规划了 2nm 的产品。2018年底,台积电董事长刘德音就预测芯片规模将继续扩大到 2nm~3nm 制程工艺。

然而到 2019 年,半导体业内还没有确定台积电的技术水平是否可以在 3nm 以外的水准上使用的时候,台积电已经实现了从 FinFET 到闸极全环电晶体(GAAFET)类型的转变。

2020 年的时候,台积电就计划在 2024 年左右进入 2nm 的风险生产,同年台积电开始在新竹科学工业园区建立一个 2nm 技术的研发实验室。同年董事长刘德音也表示将在台湾新竹建立一个 2nm 制程的工厂,也可以根据需求在台中市的中部科学工业园区安装生产。

据悉,2nm 制程相比 3nm 制程可在相同功耗下提高 10~15% 执行效能,而在相同效能下则可降低 25~30% 的功耗,2nm 制程技术采用奈米片电晶体(Nanosheet)设计,将取代过往使用多年的鳍式场效应晶体管(FinFET)设计,同时也能结合Chiplet小晶片设计方案,分别可对应行动装置运算,以及高效能运算处理器设计需求。

文章来源于:21IC    原文链接
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