特性
- 单片、可回流焊、27mm x 27mm BGA封装
- 内置锂锰电池和充电器
- 集成实时时钟
- V CC 超出容限时将无条件写保护时钟和SRAM
- V CC 电源失效后自动切换至电池供电
- 复位输出可用作CPU监控器
- 中断输出可用作CPU看门狗定时器
- 工业级温度范围(-40°C至+85°C)
DS3045W由静态RAM、非易失(NV)控制器、2000年兼容的实时时钟(RTC)和可充电锂锰(ML)电池组成。这些组件封装在一个表面贴装的256焊球BGA模块中。V CC 加在模块上时,对ML电池进行充电,同时为时钟和SRAM供电,此时允许修改时钟寄存器和SRAM的内容。一旦V CC 掉电或超出容限范围,控制器将对存储器内容加以写保护,并由电池为时钟和SRAM供电。DS3045W还带有一个电源监视器输出(/RST)和一个用户可编程的中断输出(/IRQ/FT)。
应用
- 数据采集系统
- 烟雾报警器
- 游戏机
- 工业控制器
- PLC
- POS终端
- RAID系统和服务器
- 路由器/交换机
部分模型 | 产品周期 | 描述 | ||
---|---|---|---|---|
产品 9 |
||||
|
3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM |
|||
|
3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM |
|||
|
3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM |
|||
|
3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM |
|||
|
3.3V、单芯片、4Mb非易失SRAM |
|||
|
3.3V、单芯片、8Mb非易失SRAM |
|||
|
3.3V、单芯片、4Mb非易失SRAM,带有时钟 |
|||
|
3.3V、单芯片、8Mb非易失SRAM,带有时钟 |
|||
|
3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM,带有时钟 |