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研发客服Dialog Semiconductor 宣布推出 AT25EU 系列 SPI NOR 闪存设备，以支持具有严格电源要求的小型设备的开发。Dialog Semiconductor 内存产品工业物联网事业部产品营销高级总监 Graham Loveridge 在接受EE Times Europe采访时表示，AT25EU 旨在结合速度和功率以实现最佳响应。
“在 Dialog，我们继续专注于使 NOR Flash 在物联网和数据记录设备中更好地工作。AT25EU 专注于降低能耗以延长电池寿命，同时提供高速读取和快速擦除时间以提高性能，”Loveridge 说。“我们的其他设备还提供功能来帮助物联网和数据记录系统更高效地运行、使用更少的电力并提高系统性能。”
能源消耗
通常在电池供电系统中，设计人员专注于低功耗组件。虽然这在某些情况下可能是有利的，但对于闪存设备来说，更重要的是关注总能耗。Flash 设备需要时间来完成擦除和编程等操作。传统上，较低功耗的闪存需要更长的时间才能完成这些操作，从而增加了总能耗并降低了系统性能。在不牺牲性能的情况下降低总能量是市场的关键差异化。对话声称与现有的 SPI NOR 闪存解决方案相比，2Mbit AT25EU0021A 可以在几毫秒内执行整个芯片擦除，而不是数百毫秒甚至几秒，同时还消耗更少的功率和显着降低的总能量。实现快速、低功耗擦除操作的能力提高了空中 (OTA) 更新、事件监控和数据记录任务等功能的效率。
“当设备执行擦除时，不能执行其他操作，”Loveridge 说。“这意味着在此期间无法从闪存中读取数据。在生产线上，通常在生产线末端加载最终客户代码之前加载测试代码以测试设备。具有较长的全芯片擦除时间(例如，在某些情况下对于 2Mbit 设备为 3 秒)会减慢生产线的速度。AT25EU 可以在不到 10ms 的时间内执行一次全芯片擦除。生产线上更快的吞吐量意味着更低的成本。执行 OTA 更新时，较长的擦除时间也会让用户感到沮丧。更快的擦除时间改善了整体用户体验。”
NOR闪存
Loveridge 表示，SPI NOR 闪存的低功耗、高性能突破建立在 Dialog 对增强其 BLE、Wi-Fi 和 GreenPAK 产品组合的承诺之上。Flash 系列还提供各种省电功能以延长电池寿命，例如宽 Vcc 操作(1.65V 至 3.6V)和 100 至 300nA 深度断电模式以在产品不使用时节省电力。除了能效和访问速度之外，据称它还能延长小型电池供电物联网设备的运行时间。
“许多物联网设备不需要大内存密度，因此 NOR 更具成本效益。对于更大的密度，即 512Mbits 以上，NAND 通常更具成本效益。与 NAND 相比，NOR Flash 具有更快的访问时间和更好的随机访问，使其更适合引导代码或直接在闪存设备外执行代码的就地执行应用程序。这就是为什么大多数设备使用嵌入式或外部 NOR 闪存作为 BIOS 或引导代码，”Loveridge 说。
随着降低功耗、小型化和更小电池的趋势继续发展，Dialog 表示，它专注于提供更低功耗的设备，这些设备可以更快地执行擦除、编程和修改操作，并且能耗更低，以提高系统性能并延长电池寿命。
“我们继续突破闪存的界限，”Loveridge 说。“例如，对于低于 40nm 的几何尺寸，Flash 很难成本有效地嵌入到 SoC 中。为了解决这个问题，Dialog 开发了一种称为 CBRAM 的电阻式 RAM 技术，该技术可以轻松且经济高效地用于较低几何尺寸的硅工艺。CBRAM 还具有不需要预擦除的优点。与传统的 NOR 和 NAND Flash 不同，CBRAM 只需要写入数据。它还使用一小部分功率，并且可以执行非常快速的读写操作。”
第一款 AT25EU 产品系列器件将提供 1Mbit 和 2Mbit 配置，并于 2021 年第二季度全面提供样品。
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