STM32入门学习笔记之TFTLCD显示实验2

发布时间:2024-04-07  

Bit 19:成组写使能位


0:写操作始终处于异步模式


   1:写操作为同步模式

Bit 14:EXTMOD:扩展模式使能(即允许读和写使用不同的时序)



0:不使用FSMC_BWTR寄存器(默认)


   1:FSMC使用FSMC_BWTR寄存器

Bit 13:等待使能位


0:禁用NWAIT信号,在设置的闪存保持周期之后不会检测NWAIT信号插入等待状态


   1:使用NWAIT信号,在设置的闪存保持周期之后根据NWAIT信号插入等待状态(默认)

Bit 12:写使能位


0:禁止FSMC对存储器的写操作,否则产生一个AHB错误


   1:允许FSMC对存储器的写操作(默认)

Bit 11:配置等待时序


0:NWAIT信号在等待状态前的一个数据周期有效(默认)


   1:NWAIT信号在等待状态期间有效(不适用于Cellular RAM)

Bit 10:支持非对齐的成组模式


0:不允许直接的非对齐成组操作(默认)


   1:允许直接的非对齐成组操作

Bit 9:等待信号极性


0:NWAIT等待信号为低时有效(默认)


   1:NWAIT等待信号为高时有效

Bit 8:成组模式使能


0:禁用成组访问模式(默认)


   1:使用成组访问模式

Bit 6:闪存访问使能


0:禁止对NOR闪存存储器的访问操作


   1:允许对NOR闪存存储器的访问操作

Bit 5~Bit 4:存储器数据总线宽度


00:8位,


   01:16位(默认)


   10:保留


   11:保留

Bit 3~Bit 2:存储器类型


00:SRAM、ROM(存储器块2,3,4在复位后的默认值)


   01:PSRAM(Cellular RAM: CRAM)


   10:NOR闪存(存储器块1在复位后的默认值)


   11:保留

Bit 1:地址/数据复用使能位


0:地址/数据不复用。


   1:地址/数据复用数据总线(默认)

Bit 0:存储器块使能位


0:禁用对应的存储器块


   1:启用对应的存储器块

(2)SRAM/NOR 闪存片选时序寄存器:FSMC_BTRx(x=1~4)

31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16
- ACCMOD DATLAT CLKDIV BUSTURN










15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0
DATAST ADDHLD ADDSET












Bit 29~Bit 28:访问模式(这2位只在FSMC_BCRx寄存器的EXTMOD位为1时起作用)


00:访问模式A


   01:访问模式B


   10:访问模式C


   11:访问模式D

Bit 27~Bit 24:数据保持时间


0000:第一个数据的保持时间为2个CLK时钟周期


   ……


   1111:第一个数据的保持时间为17个CLK时钟周期(默认)

Bit 23~Bit 20:时钟分频比


0000:保留


   0001:1个CLK周期=2个HCLK周期


   0010:1个CLK周期=3个HCLK周期


   ……


   1111:1个CLK周期=16个HCLK周期(默认)

Bit 19~Bit 16:总线恢复时间


0000:总线恢复时间=1个HCLK时钟周期


   ……


   1111:总线恢复时间=16个HCLK时钟周期(默认)

Bit 15~Bit 8:数据保持时间


00000000:保留


   00000001:DATAST保持时间=2个HCLK时钟周期


   00000010:DATAST保持时间=3个HCLK时钟周期


   ……


   11111111:DATAST保持时间=256个HCLK时钟周期(默认)

Bit 7~Bit 4:地址保持时间


0000:ADDHLD保持时间=1个HCLK时钟周期


   ……


   1111:ADDHLD保持时间=16个HCLK时钟周期(默认)

Bit 3~Bit 0:地址建立时间


0000:ADDSET建立时间=1个HCLK时钟周期


   ……


   1111:ADDSET建立时间=16个HCLK时钟周期(默认)


文章来源于:电子工程世界    原文链接
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