半导体市场乍暖还寒;DRAM、NAND Flash产业最新营收出炉;前十大晶圆代工业者排名公布

发布时间:2023-12-11  

“芯”闻摘要

半导体市场乍暖还寒
Q3存储产业营收回顾
全球前十大晶圆代工业者排名公布
半导体IPO新进展
一文了解CXL 3.1

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半导体市场乍暖还寒

自半导体行业步入下行周期以来,市场行情走势从“量价齐升”转为“量增价跌” 的局面,相关厂商不得不实施库存调整、减产等策略多管齐下,力求供需平衡。

随着原厂大幅减产,智能手机、PC等终端应用陆续回稳重启拉货潮,带动存储芯片市况谷底翻扬。

业界认为,从明年来看,存储芯片、硅晶圆、MCU等领域走线不一,但将殊途同归,在不久的将来半导体行业或迎来上升。

近日,据中国台湾经济日报报道,西部数据对客户发出涨价通知信,并预期未来几季NAND芯片价格会周期性上涨,累计涨幅可能比当前报价高五成以上、达55%...详情请点击

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前十大晶圆代工业者排名出炉

根据TrendForce集邦咨询研究,随着终端及IC客户库存陆续消化至较为健康的水位,及下半年iPhone、Android阵营推出新机等有利因素,带动第三季智能手机、笔电相关零部件急单涌现,但高通胀风险仍在,短期市况依旧不明朗,故此波备货仅以急单方式进行。此外,台积电(TSMC)、三星(Samsung)3nm高价制程贡献营收亦对产值带来正面效益,带动2023年第三季前十大晶圆代工业者产值为282.9亿美元,环比增长7.9%。

其中,台积电(TSMC)第三季营收环比增长10.2%,达172.5亿美元;三星晶圆代工事业(Samsung Foundry)第三季营收达36.9亿美元,环比增长14.1%;格芯(GlobalFoundries)与第二季相近,约18.5亿美元;中芯国际(SMIC)第三季营收环比增长3.8%,达16.2亿美元;英特尔IFS第三季营收环比增长约34.1%,约3.1亿美元....详情请点击

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Q3存储产业营收回顾

根据TrendForce集邦咨询调查显示,2023年第三季DRAM产业合计营收达134.80亿美金,季成长率约18.0%;第三季NAND Flash位元出货量环比增长3%,整体合并营收来到92.29亿美元,环比增长幅度约2.9%。

具体来看,在第三季中,DRAM方面,三星(Samsung)DRAM营收季增幅度约15.9%,约52.50亿美元;SK海力士(SK hynix)营收约46.26亿美元,季增幅度达34.4%;美光(Micron)营收季增幅度约4.2%,达30.75亿美元...详情请点击

NAND Flash方面,三星第三季NAND Flash营收为29.0亿美元,持平第二季;铠侠(Kioxia)营收下跌至13.4亿美元,环比减少8.6%;美光(Micron)第三季营收小幅下滑至11.5亿美元,环比减少5.2%;SK集团(SK hynix & Solidigm)第三季NAND Flash营收约18.6亿美元,环比增长11.9%;西部数据NAND Flash部门营收达15.56亿美元,环比增长13.0%...详情请点击

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半导体IPO新进展

今年8月27日,国内证监会发布优化IPO、再融资监管安排,称“根据近期市场情况,阶段性收紧IPO节奏,促进投融资两端的动态平衡”,同时还对上市公司再融资行为作出部分条件限制。在上述规定发布后,据全球半导体观察不完全统计,8月27日至12月2日期间,沪深北三地交易所合计受理42家,而在10月、11月沪深两地交易所罕见出现“零受理”的情况。

近期,京仪装备、功率半导体厂商钜芯科技、热场材料商奥亿达、SiC设备商优晶科技、电子器件提供商盛景微、康希通信、电子特气厂商博纯材料、国产干膜光刻胶供应商初源新材8家企业IPO再有新动态。

11月29日,京仪装备在上海证券交易所科创板上市。首次公开发行数量为4200万股,发行价为31.95元/股,上市当日开盘价为60.12元/股,市值超百亿,募集资金总额为13.42亿元,用于集成电路制造专用装备研发基地项目和补充流动资金。

11月17日, 康希通信在上海证券交易所科创板上市。康希通信本次IPO公开发行股票1629万股,发行价格10.5元,募集资金总额为6.68亿元...详情请点击

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一文了解CXL 3.1

目前业界对于CXL的熟识程度远远不及PCI-e、HBM等新型存储技术,主要是因为目前PCIe还有其适用性,而归根结底是因为该技术发展过于新、发展过于迅速。CXL全称Compute Express Link,是一个全新的得到业界认同的互联技术标准,其可以有效解决内存墙和IO墙的瓶颈。PCI-e技术是CXL技术的底层基础,CXL则可视为PCI-e技术的再提高版本,并且,CXL延伸了更多变革性的功能。

2019年至今,CXL已经发表了1.0/1.1、2.0、3.0/3.1五个不同的版本,CXL2.0内存的池化(Pooling)功能较好的实现了以内存为中心的构想;CXL3.0则实现Memory sharing(内存共享)和内存访问,在硬件上实现了多机共同访问同样内存地址的能力;而CXL3.1,则具备开启更多对等通信通道的能力,实现了对内存和存储的独立分离,形成独立的模块。并且新规范将支持目前仍在研发中的DDR6内存…详情请点击

封面图片来源:拍信网

文章来源于:全球半导体观察    原文链接
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