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研发客服日前，威世科技 Intertechnology, Inc.宣布，推出业内先进的与瞬变电压抑制器（）二合一器件---R3T2FPHM3，为汽车应用提供新型表面贴装解决方案。 General Semiconductor R3T2FPHM3采用氧化物平面芯片结设计和共阴极电路配置，将3 A，600 V和200 W TRANSZORB® 组合在小型FlatPAK 5 x 6封装中。
本文引用地址：日前发布的器件工作温度 -55 °C 至 +175 °C，适用于各种高可靠性汽车应用，包括传感器单元的二级保护、分布式气囊模块、功率分配器下的低功率DC/DC转换器。双片解决方案在单一封装中组合两种不同的技术，节省PCB空间，简化布局，并降低这些应用的总体成本。与标准串联，R3T2FPHM3为设计师提供完整的低钳位电压比 > 24 V解决方案。
二合一器件的整流器正向压降低至0.86 V，有助于减少功率损耗并提高效率，TVS的击穿电压为27 V。R3T2FPHM3的ESD能力符合IEC 61000-4-2标准（空气放电和接触放电模式）；MSL湿度敏感度等级达到J-STD-020规定的1级，LF最大峰值为260 °C；模塑耐火等级达到UL 94 V-0。器件符合RoHS标准，无卤素，通过AEC-Q101认证。
R3T2FPHM3现可提供样品并已实现量产，供货周期为12周。
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