SeDRAM方向迎突破:紫光公开嵌入式多层SeDRAM内存

发布时间:2023-07-04  

7月3日消息,近日的VLSI 2023技术与电路研讨会上,西安紫光国芯公开发表技术论文《基于小间距混合键合和mini-TSV的135 GBps/Gbit 0.66 pJ/bit嵌入式多层阵列DRAM》,展示了西安紫光国芯在SeDRAM方向的最新突破。

本年度的VLSI会议共收到全球投稿632篇,最终录取212篇,只有2篇来自中国内地企业,其中1篇就是西安紫光国芯的贡献的。

西安紫光国芯的新一代多层阵列SeDRAM,相较于上一代单层阵列结构,主要采用了低温混合键合技术(Hybrid Bonding)、微型硅穿孔(mini-TSV)堆积技术。

这种内存的每Gbit(十亿比特)由2048个数据接口组成,每个接口的数据速度都达到541Mbps,最终实现了业界领先的135 GBps/Gbit带宽、0.66 pJ/bit能效,基于此实现了逻辑单元和DRAM阵列三维集成。

2020年,西安紫光国芯发布了第一代SeDRAM技术,之后实现了多款产品的大规模量产,而这次发布的新一代多层阵列SeDRAM技术,实现了更小的电容电阻、更大的带宽和容量,可广泛应用于近存计算、大数据处理、高性能计算等领域。

文章来源于:21IC    原文链接
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