SI7619DN-T1-GE3

SI7619DN-T1-GE3

Vishay Intertechnology, Inc.

Trans MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R MOSFET P-CH 30V 1212-8 PPAK Vishay Si P沟道 MOSFET , 24 A, Vds=30 V, 8针 PowerPAK 1212封装 MOSFET -30V -24A 27.8W

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量3000
商标名TrenchFET
单位包装3000
其他名称SI7619DN-T1-GE3CT
标准包装数量3,000
工厂包装数量3000
标准封装名称PowerPAK 1212

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
欧盟RoHSCompliant

电气参数

参数值
FET类型MOSFET P-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs±20
FET特性Standard
最大功率27.8W
开通延迟时间42 ns
输出功能增强
晶体管类型Si
关断延迟时间45 ns
供电电压30 V
元件数量1
输入电阻34 mΩ
Vgs(th)(最大)@ Id3V @ 250µA
击穿电压30
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs21 mOhm @ 10.5A, 10V
最大功耗27.8 W
导通电阻(最大)21@10V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs50nC @ 10V
漏源电压(Vdss)30V
峰值脉冲电流(10/1000µs)10.5
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds1350pF @ 15V
连续漏极电流(Id)@ 25°C24A (Tc)

机械参数

参数值
宽度3.15mm
高度1.07mm
长度3.15mm
包装方式Tape and Reel
引脚样式No Lead
安装类型Surface Mount
引脚数8
封装形式PowerPAK® 1212-8
包装数量PowerPAK 1212
尺寸/外形3.15 x 3.15 x 1.07mm
位数8
供应商器件封装PowerPAK® 1212-8

产品信息

参数值
系列SI7
功能Y
技术Si
通道类型Enhancement
制造商全称Vishay Semiconductors
卡标准功率 MOSFET

环境参数

参数值
工作温度+150 °C