SI6866DQ-T1

SI6866DQ-T1

Vishay Intertechnology, Inc.

MOSFET 20V 5.8A

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量1
单位包装0
产品类别MOSFET
工厂包装数量3000

合规参数

参数值
RoHSNo

电气参数

参数值
下降时间37 ns
额定功率1.2 W
上升时间(典型)37 ns
晶体管类型N-Channel
首抽头延迟41 ns
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs30 mOhms
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic20 V
栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 12 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)5.8 A

机械参数

参数值
包装方式Reel
安装样式SMD/SMT
封装形式TSSOP-8

产品信息

参数值
配置Dual

环境参数

参数值
机械寿命Obsolete
工作温度+ 150 C