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# 元件详情：SI5435BDC-T1-GE3

- **型号**: SI5435BDC-T1-GE3
- **oneic 编号**: 5-SI5435BDC-T1-GE3
- **厂商**: Vishay Intertechnology, Inc.
- **描述**: MOSFET 30V 5.9A 2.5W 45mohm @ 10V Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 8-Pin Chip FET T/R MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8 P CHANNEL MOSFET, -30V, 5.9A, 1206
- **分类**: 分立半导体元件 / 分立半导体 / 触发二极管

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 最小起订量 | 3000 |
| 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | SI5435BDC-T1-GE3CT |
| 零件号别名 | SI5435BDC-GE3 |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 3,000 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 标准封装名称 | Chip FET |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 12 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | :8V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 1.3W |
| 额定功率 | 1.3 W |
| 上升时间（典型） | 12 ns |
| 晶体管类型 | P-Channel |
| 首抽头延迟 | 32 ns |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 击穿电压 | 30 |
| 阈值电压 | :-3V |
| 导通电阻 RDS(On) | :80mohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 4.3A, 10V |
| 最大功耗 | 1300 |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 导通电阻（最大） | 45@10V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 24nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 4.3 |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 4.3 A |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 4.3A (Ta) |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 宽度 | 1.65 |
| 重量 | 0.00001 |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :8 |
| 封装形式 | 8-SMD, Flat Lead |
| 总长度 | 3.05 |
| 包装数量 | Chip FET |
| 位数 | 8 |
| 外壳尺寸-插件 | 1.1(Max) |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 通道类型 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 印刷电路板数量 | 8 |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | - 55 C |

## 数据手册

- [Si5435BDC](http://www.vishay.com/docs/73137/73137.pdf)

## 实时报价

> 报价接口（需 API Key）：`https://r.huluic.cn/v2/offers/SI5435BDC-T1-GE3`

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数据来源：[huluic.cn](https://huluic.cn)