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# 元件详情：SI2343CDS-T1-GE3

- **型号**: SI2343CDS-T1-GE3
- **oneic 编号**: 5-SI2343CDS-T1-GE3
- **厂商**: Vishay Intertechnology, Inc.
- **描述**: Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R P-CHANNEL-FET 5,9A 30V SOT23 MOSFET P-CH 30V SOT-23 MOSFET 30V 5.9A P-CH MOSFET MOSFET, P CH, -30V, -5.9A, SOT-23 Vishay  , P沟道 MOSFET, 4.7 A, Vds=30 V, 3针 TO-236封装
- **分类**: 分立半导体元件 / IGBT / 分立IGBT

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 最小起订量 | 3000 |
| 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | SI2343CDS-T1-GE3CT |
| 零件号别名 | SI2343CDS-GE3 |
| 标准包装数量 | Tape & Reel |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 海关税号 | 85412900 |
| 无铅定义 | RoHS-conform |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 13.6 nC |
| 最大功率 | 2.5W |
| 额定功率 | 2.5 W |
| 下降时间（典型） | 8 ns |
| 晶体管类型 | P-Channel |
| 首抽头延迟 | 16\|18 ns |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 击穿电压 | 30 V |
| 阈值电压 | :-1.2V |
| 导通电阻 RDS(On) | :0.037ohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 45@10V mOhm |
| 最大功耗 | :2.5W |
| 传播延迟（最大） | 25\|10 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 每端口功率（瓦） | 1.7W |
| 供电电压 (Vcc/Vdd) | 30V |
| 电流传输比（最小） | 10 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 21nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 30\|8 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 4.2 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 5.9A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 590pF @ 15V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 5.9A (Tc) |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 重量 | 0.00005 |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3SOT-23 |
| 材料表面处理 | :- |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 极性 | P-CHANNEL |
| 匹配码 | SI2343CDS |
| 通道类型 | P |
| 配置 | Single |
| 标准交期 | 15 weeks |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |

## 数据手册

- [Datasheet](http://www.vishay.com/docs/65474/si2343cd.pdf)
- [SI2343CDS](http://www.vishay.com/docs/65474/si2343cd.pdf)
- [Datasheet](http://www.vishay.com/doc?65474)

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数据来源：[huluic.cn](https://huluic.cn)