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# 元件详情：SIR472DP-T1-GE3

- **型号**: SIR472DP-T1-GE3
- **oneic 编号**: 5-SIR472DP-T1-GE3
- **厂商**: Vishay Intertechnology, Inc.
- **描述**: Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin PowerPAK SO T/R MOSFET N-CH 30V 20A PPAK 8SOIC N CHANNEL MOSFET, 30V, 20A, SOIC MOSFET 30V 20A 29.8W 12mohm @ 10V
- **分类**: 分立半导体元件 / IGBT / 分立IGBT

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 最小起订量 | 3000 |
| 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | SIR472DP-T1-GE3CT |
| 标准包装数量 | Tape & Reel |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412100 |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 29.8W |
| 下降时间（典型） | 10 ns |
| 晶体管类型 | :N Channel |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 击穿电压 | 30 V |
| 阈值电压 | :2.5V |
| 导通电阻 RDS(On) | :15mohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 12@10V mOhm |
| 最大功耗 | 3900 |
| 传播延迟（最大） | 12 ns |
| 导通电阻（最大） | 12@10V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 23nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 16 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 14 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 820pF @ 15V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 20A (Tc) |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 宽度 | 5.89 |
| 重量 | 0 |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | No Lead |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | 8PowerPAK SO |
| 总长度 | 4.9 |
| 包装数量 | PowerPAK SO |
| 位数 | 8 |
| 外壳尺寸-插件 | 1.04 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 通道类型 | Enhancement |
| 印刷电路板数量 | 8 |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |

## 数据手册

- [Datasheet](http://www.vishay.com/docs/68897/sir472dp.pdf)
- [SIR472DP](http://www.vishay.com/docs/68897/sir472dp.pdf)

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