SIR472DP-T1-GE3

SIR472DP-T1-GE3

Vishay Intertechnology, Inc.

Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin PowerPAK SO T/R MOSFET N-CH 30V 20A PPAK 8SOIC N CHANNEL MOSFET, 30V, 20A, SOIC MOSFET 30V 20A 29.8W 12mohm @ 10V

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量3000
单位包装3000
其他名称SIR472DP-T1-GE3CT
标准包装数量Tape & Reel

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
欧盟RoHSCompliant
海关税号85412100

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs±20 V
FET特性Standard
最大功率29.8W
下降时间(典型)10 ns
晶体管类型:N Channel
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id2.5V @ 250µA
击穿电压30 V
阈值电压:2.5V
导通电阻 RDS(On):15mohm
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs12@10V mOhm
最大功耗3900
传播延迟(最大)12 ns
导通电阻(最大)12@10V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs23nC @ 10V
开关时间(Ton, Toff)(最大)16 ns
漏源电压(Vdss)30V
峰值脉冲电流(10/1000µs)14 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds820pF @ 15V
连续漏极电流(Id)@ 25°C20A (Tc)

机械参数

参数值
宽度5.89
重量0
包装方式Tape and Reel
引脚样式No Lead
安装类型Surface Mount
封装形式8PowerPAK SO
总长度4.9
包装数量PowerPAK SO
位数8
外壳尺寸-插件1.04
供应商器件封装PowerPAK® SO-8

产品信息

参数值
通道类型Enhancement
印刷电路板数量8

环境参数

参数值
工作温度-55 to 150 °C