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# 元件详情：SI4816BDY-T1-GE3

- **型号**: SI4816BDY-T1-GE3
- **oneic 编号**: 5-SI4816BDY-T1-GE3
- **厂商**: Vishay Intertechnology, Inc.
- **描述**: Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R MOSFET DL N-CH 30V 6.8A 8-SOIC MOSFET, NN CH, 30V, 8SOIC MOSFET Dua lN-Ch w/Schottky 30V 18.5/11.5mohm
- **分类**: 分立半导体元件 / IGBT / 分立IGBT

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 其他名称 | SI4816BDY-T1-GE3CT |
| 标准包装数量 | Tape & Reel |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 海关税号 | 85412900 |
| 抗辐射加固 | No |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| FET类型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 1W, 1.25W |
| 下降时间（典型） | 9@Channel 1\|11@Channel 2 ns |
| 晶体管类型 | :Dual N Channel |
| 首抽头延迟 | 24@Channel 1\|31@Channel 2 ns |
| 元件数量 | 2 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 击穿电压 | 30 V |
| 阈值电压 | :3V |
| 导通电阻 RDS(On) | :0.0155ohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 18.5@10V@Channel 1\|11.5@10V@Channel 2 mOhm |
| 最大功耗 | :1W |
| 传播延迟（最大） | 9 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10nC @ 5V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 11@Channel 1\|13@Channel 2 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 5.8@Channel 1\|8.2@Channel 2 A |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 5.8/8.2 A |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 5.8A, 8.2A |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 重量 | 0.0005 |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 引脚数 | :8 |
| 封装形式 | 8SOIC N |
| 冷却的封装 | SOIC N |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 位数 | 8 |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 类型 | Power MOSFET |
| 极性 | N |
| 通道类型 | Enhancement |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |

## 数据手册

- [Datasheet](http://www.vishay.com/docs/73026/si4816bd.pdf)
- [Si4816BDY](http://www.vishay.com/docs/73026/si4816bd.pdf)

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