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# 元件详情：SI2319DS-T1-E3

- **型号**: SI2319DS-T1-E3
- **oneic 编号**: 5-SI2319DS-T1-E3
- **厂商**: Vishay Intertechnology, Inc.
- **描述**: Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R P-CHANNEL-FET 3,0A 40V SOT23 MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3 SI2319DS-T1-E3, P-channel MOSFET Transistor 2.3A 40V, 3-Pin SOT-23, TO-236 P CHANNEL MOSFET, -40V, 3A, TO-236, FULL REEL MOSFET,P CH,40V,2.3A,SOT23-3 TRANSMOSFETP-CH40V2.3A3-PINSOT-23T/R MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V
- **分类**: 分立半导体元件 / IGBT / 分立IGBT

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 最小起订量 | 3000 |
| 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | SI2319DS-T1-E3CT |
| 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 标准封装名称 | SOT-23 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412100 |
| 抗辐射加固 | No |
| 无铅定义 | RoHS-conform |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 750mW |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 额定功率 | 0.75 W |
| 额定输出功率 | Not Required dB |
| 最大频率 | Not Required MHz |
| 晶体管类型 | :P Channel |
| 首抽头延迟 | 25 ns |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 击穿电压 | 40 V |
| 阈值电压 | :-3V |
| 最大额定电流 | :-2.3A |
| 导通电阻 RDS(On) | :130mohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 82@10V mOhm |
| 最大功耗 | 0.75 W |
| 传播延迟（最大） | 15 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 40 V |
| 漏电流（最大） | 2.3 A |
| 每端口功率（瓦） | 0.75W |
| 导通电阻（最大） | 0.082 Ω |
| 供电电压 (Vcc/Vdd) | 40V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 17nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 7 ns |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | Not Required % |
| 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 2.3 A |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 3A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 470pF @ 20V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 2.3A (Ta) |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 宽度 | 1.4mm |
| 高度 | 1.02mm |
| 长度 | 3.04mm |
| 重量 | 0 |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3SOT-23 |
| 冷却的封装 | SOT-23, TO-236 |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 总长度 | 3.04(Max) |
| 包装数量 | SOT-23 |
| 尺寸/外形 | 3.04 x 1.4 x 1.02mm |
| 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 1.02(Max) |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 类型 | Power MOSFET |
| 已删除 | Compliant |
| 极性 | P-CHANNEL |
| 匹配码 | SI2319DS |
| 通道类型 | P |
| 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 标准交期 | 17 weeks |
| 印刷电路板数量 | 3 |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |

## 数据手册

- [Datasheet](http://www.vishay.com/docs/72315/72315.pdf)
- [SI2319DS](http://www.vishay.com/doc?72315)

## 实时报价

> 报价接口（需 API Key）：`https://r.huluic.cn/v2/offers/SI2319DS-T1-E3`

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