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# 元件详情：SI1555DL-T1-E3

- **型号**: SI1555DL-T1-E3
- **oneic 编号**: 5-SI1555DL-T1-E3
- **厂商**: Vishay Intertechnology, Inc.
- **描述**: Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.66A/0.57A 6-Pin SC-70 T/R MOSFET N/P-CH 20/8V SC70-6 MOSFET 20/8 0.7/0.6 MOSFET, NP CH, 20/8V, 6SC-70 MOSFET;20VN-CH,8VP-CHCOMPPAIR
- **分类**: 分立半导体元件 / IGBT / 分立IGBT

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 商标名 | TrenchFET |
| 其他名称 | SI1555DL-T1-E3CT |
| 零件号别名 | SI1555DL-E3 |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 标准封装名称 | SOT-323 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| FET类型 | N and P-Channel |
| 下降时间 | 16 ns at N Channel, 25 ns at P Channel |
| 最大栅源电压 Vgs | ±12@N Channel\|±8@P Channel V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 270mW |
| 额定功率 | 270 mW |
| 上升时间（典型） | 16 ns at N Channel, 25 ns at P Channel |
| 晶体管类型 | N and P-Channel |
| 首抽头延迟 | 10 ns |
| 元件数量 | 2 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1.4V @ 250µA |
| 击穿电压 | 20@N Channel\|8@P Channel V |
| 阈值电压 | :600mV |
| 导通电阻 RDS(On) | :0.32ohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 385@4.5V@N Channel\|600@4.5V@P Channel mOhm |
| 最大功耗 | :270mW |
| 传播延迟（最大） | 16@N Channel\|25@P Channel ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | + 20 V, - 8 V |
| 导通电阻（最大） | 385@4.5V@N Channel\|600@4.5V@P Cha... |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 10@N Channel\|6@P Channel ns |
| 漏源电压（Vdss） | 20V, 8V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.66@N Channel\|0.57@P Channel A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 12 V, +/- 8 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 0.7 A,  0.6 A |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 660mA, 570mA |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 重量 | 0.009 |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :6 |
| 封装形式 | 6SC-70 |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 包装数量 | SC-70 |
| 位数 | 6 |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 (SOT-363) |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 通道类型 | N\|P |
| 配置 | Dual |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |

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