规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 1 |
| 单位包装 | 0 |
| 其他名称 | *IRLU014 |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Bulk |
| 工厂包装数量 | 3000 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 26 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±10 V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 2.5W |
| 额定功率 | 2.5 W |
| 下降时间（典型） | 26 ns |
| 上升时间（典型） | 110 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 17 ns |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 击穿电压 | 60 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 200@5V mOhm |
| 传播延迟（最大） | 110 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 60 V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 8.4nC @ 5V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 9.3 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 7.7 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 10 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 7.7 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 400pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 7.7A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | 3IPAK |
| 供应商器件封装 | TO-251AA |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | Vishay / Siliconix |
| 配置 | Single |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55 to 150 °C |