IRFU014PBF

IRFU014PBF

Vishay Intertechnology, Inc.

Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK IRFU014PBF, N-channel MOSFET Transistor, 7.7A 60V, 3-Pin IPAK MOSFET, N, 60V, 7.7A, I-PAK IRFU014PBF Vishay N沟道 Si MOSFET , 7.7 A, Vds=60 V, 3针 IPAK封装 MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量3000
单位包装75
其他名称*IRFU014PBF
标准包装数量Bulk, Rail / Tube
标准封装名称IPAK

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
欧盟RoHSCompliant
海关税号85412900
抗辐射加固No

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs±20 V
FET特性Standard
最大功率2.5W
噪声系数Not Required dB
开启时间:50ns
额定功率2.5 W
额定输出功率Not Required dB
下降时间(典型)19 ns
最大频率Not Required MHz
晶体管类型:N Channel
关断延迟时间:19ns
首抽头延迟13 ns
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id4V @ 250µA
击穿电压60 V
阈值电压:4V
最大额定电流:7.7A
导通电阻 RDS(On):200mohm
触点电压(最大):60V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs200@10V mOhm
最大功耗2.5 W
传播延迟(最大)50 ns
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic60 V
漏电流(最大)7.7 A
导通电阻(最大)0.2 Ω
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs11nC @ 10V
峰值脉冲电流(8/20µs):34A
开关时间(Ton, Toff)(最大)10 ns
Vce饱和电压(最大)@ Ib, IcNot Required %
漏源电压(Vdss)60V
峰值脉冲电流(10/1000µs)7.7 A
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)7.7 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds300pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C7.7A (Tc)

机械参数

参数值
宽度2.39mm
高度6.22mm
长度6.73mm
重量0.0004
包装方式Tube
插片宽度Tab
引脚样式Through Hole
端接方式:Through Hole
引脚间距:2.28mm
安装类型Through Hole
引脚数:3
封装形式3IPAK
冷却的封装IPAK
材料表面处理:-
总长度6.73(Max)
包装数量IPAK
尺寸/外形6.73 x 2.39 x 6.22mm
引线长度:9.65mm
位数3
外壳尺寸-插件6.22(Max)
供应商器件封装TO-251AA

产品信息

参数值
类型Power MOSFET
已删除Compliant
极性N
通道类型Enhancement
卡标准Power MOSFET
配置Single
印刷电路板数量3

环境参数

参数值
测试温度:25°C
热阻:0°C/W
工作温度-55 to 150 °C