
IRFU014PBF
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK IRFU014PBF, N-channel MOSFET Transistor, 7.7A 60V, 3-Pin IPAK MOSFET, N, 60V, 7.7A, I-PAK IRFU014PBF Vishay N沟道 Si MOSFET , 7.7 A, Vds=60 V, 3针 IPAK封装 MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 3000 |
| 单位包装 | 75 |
| 其他名称 | *IRFU014PBF |
| 标准包装数量 | Bulk, Rail / Tube |
| 标准封装名称 | IPAK |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 |
| 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 2.5W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 开启时间 | :50ns |
| 额定功率 | 2.5 W |
| 额定输出功率 | Not Required dB |
| 下降时间(典型) | 19 ns |
| 最大频率 | Not Required MHz |
| 晶体管类型 | :N Channel |
| 关断延迟时间 | :19ns |
| 首抽头延迟 | 13 ns |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
| 击穿电压 | 60 V |
| 阈值电压 | :4V |
| 最大额定电流 | :7.7A |
| 导通电阻 RDS(On) | :200mohm |
| 触点电压(最大) | :60V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 200@10V mOhm |
| 最大功耗 | 2.5 W |
| 传播延迟(最大) | 50 ns |
| 集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic | 60 V |
| 漏电流(最大) | 7.7 A |
| 导通电阻(最大) | 0.2 Ω |
| 栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs | 11nC @ 10V |
| 峰值脉冲电流(8/20µs) | :34A |
| 开关时间(Ton, Toff)(最大) | 10 ns |
| Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic | Not Required % |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 峰值脉冲电流(10/1000µs) | 7.7 A |
| 漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0) | 7.7 A |
| 输入电容(Ciss)(最大)@ Vds | 300pF @ 25V |
| 连续漏极电流(Id)@ 25°C | 7.7A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 2.39mm |
| 高度 | 6.22mm |
| 长度 | 6.73mm |
| 重量 | 0.0004 |
| 包装方式 | Tube |
| 插片宽度 | Tab |
| 引脚样式 | Through Hole |
| 端接方式 | :Through Hole |
| 引脚间距 | :2.28mm |
| 安装类型 | Through Hole |
| 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3IPAK |
| 冷却的封装 | IPAK |
| 材料表面处理 | :- |
| 总长度 | 6.73(Max) |
| 包装数量 | IPAK |
| 尺寸/外形 | 6.73 x 2.39 x 6.22mm |
| 引线长度 | :9.65mm |
| 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 6.22(Max) |
| 供应商器件封装 | TO-251AA |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | Power MOSFET |
| 已删除 | Compliant |
| 极性 | N |
| 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 印刷电路板数量 | 3 |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 测试温度 | :25°C |
| 热阻 | :0°C/W |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
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