规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 1 |
| 单位包装 | 0 |
| 其他名称 | *IRFDC20 |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Bulk |
| 工厂包装数量 | 2500 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 欧盟RoHS | Not Compliant |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 23 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 1W |
| 额定功率 | 1000 mW |
| 下降时间（典型） | 25 ns |
| 上升时间（典型） | 23 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 30 ns |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 击穿电压 | 600 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 4400@10V mOhm |
| 最大功耗 | 1000 |
| 传播延迟（最大） | 23 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 600 V |
| 导通电阻（最大） | 4400@10V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 18nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 10 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.32 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 0.32 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 350pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 320mA (Ta) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 6.29(Max) |
| 包装方式 | Tube |
| 引脚样式 | Through Hole |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | 4HVMDIP |
| 总长度 | 5(Max) |
| 包装数量 | HVMDIP |
| 位数 | 4 |
| 外壳尺寸-插件 | 3.37(Max) |
| 供应商器件封装 | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 通道类型 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 印刷电路板数量 | 4 |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55 to 150 °C |