规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 1 |
| 单位包装 | 0 |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 2,500 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 11 nC |
| 最大功率 | 1W |
| 额定功率 | 1 W |
| 晶体管类型 | P-Channel |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 300mA, 10V |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 60 V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 15nC @ 15V |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | - 0.6 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 250pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 600mA (Ta) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 供应商器件封装 | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 技术 | Si |
| 制造商全称 | Vishay Semiconductors |
| 配置 | Single |