---
source: huluic.cn
data_as_of: 2026-09-17T04:38:59.631Z
max_staleness: 1h
cached: false
source_url: https://huluic.cn/product/vishay-intertechnology-inc/2n7002-t1-e3/nzyxKJW0
---

# 元件详情：2N7002-T1-E3

- **型号**: 2N7002-T1-E3
- **oneic 编号**: 5-2N7002-T1-E3
- **厂商**: Vishay Intertechnology, Inc.
- **描述**: Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R MOSFET 60V 0.115A 0.2W MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 2N7002-T1-E3, N-channel MOSFET Transistor 0.115A 60V, 3-Pin SOT-23 MOSFET,N CH,60V,0.115A,SOT23 TRANSITOR,2N7002
- **分类**: 集成电路 / 逻辑IC / 标准逻辑IC

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 其他名称 | 2N7002-T1-E3CT |
| 零件号别名 | 2N7002-E3 |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 标准封装名称 | SOT-23 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 |
| 抗辐射加固 | No |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 200mW |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 额定功率 | 200 mW |
| 额定输出功率 | Not Required dB |
| 最大频率 | Not Required MHz |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 回波损耗（最小） | :80mA/V |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 击穿电压 | 60 V |
| 阈值电压 | :2.1V |
| 最大额定电流 | :115mA |
| 导通电阻 RDS(On) | :7.5ohm |
| 触点电压（最大） | :60V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 7500@10V mOhm |
| 最大功耗 | 0.2 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 60 V |
| 漏电流（最大） | 0.115 A |
| 导通电阻（最大） | 7.5 Ω |
| 峰值脉冲电流（8/20µs） | :800mA |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | Not Required % |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.115 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 0.115 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 50pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 115mA (Ta) |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 深度 | :2.5mm |
| 宽度 | 1.4mm |
| 高度 | 1.02mm |
| 长度 | 3.04mm |
| 重量 | 0.000033 |
| 包装方式 | Reel |
| 引脚样式 | Gull-wing |
| 端接方式 | :SMD |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3SOT-23 |
| 冷却的封装 | SOT-23 |
| 材料表面处理 | :- |
| 包装数量 | SOT-23 |
| 尺寸/外形 | 3.04 x 1.4 x 1.02mm |
| 胶带最大宽度 | :8mm |
| 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | TO-236 |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 类型 | Power MOSFET |
| 极性 | N |
| SMD标记 | :72 |
| 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 测试温度 | :25°C |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |

## 数据手册

- [Datasheet](http://www.vishay.com/docs/70226/70226.pdf)
- [2N7000,02,VQ1000J/P,BS170 Datasheet](http://www.vishay.com/docs/70226/70226.pdf)
- [Datasheet](http://www.vishay.com/doc?70226)

## 实时报价

> 报价接口（需 API Key）：`https://r.huluic.cn/v2/offers/2N7002-T1-E3`

> 现货购买：[huluic.cn 产品页](https://huluic.cn/product/vishay-intertechnology-inc/2n7002-t1-e3/nzyxKJW0?utm_source=huluic&utm_medium=md&utm_campaign=geo)

---
数据来源：[huluic.cn](https://huluic.cn)