规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 其他名称 | 2N7002-T1-E3CT |
| 零件号别名 | 2N7002-E3 |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 标准封装名称 | SOT-23 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 |
| 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 200mW |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 额定功率 | 200 mW |
| 额定输出功率 | Not Required dB |
| 最大频率 | Not Required MHz |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 回波损耗（最小） | :80mA/V |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 击穿电压 | 60 V |
| 阈值电压 | :2.1V |
| 最大额定电流 | :115mA |
| 导通电阻 RDS(On) | :7.5ohm |
| 触点电压（最大） | :60V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 7500@10V mOhm |
| 最大功耗 | 0.2 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 60 V |
| 漏电流（最大） | 0.115 A |
| 导通电阻（最大） | 7.5 Ω |
| 峰值脉冲电流（8/20µs） | :800mA |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | Not Required % |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.115 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 0.115 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 50pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 115mA (Ta) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 深度 | :2.5mm |
| 宽度 | 1.4mm |
| 高度 | 1.02mm |
| 长度 | 3.04mm |
| 重量 | 0.000033 |
| 包装方式 | Reel |
| 引脚样式 | Gull-wing |
| 端接方式 | :SMD |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3SOT-23 |
| 冷却的封装 | SOT-23 |
| 材料表面处理 | :- |
| 包装数量 | SOT-23 |
| 尺寸/外形 | 3.04 x 1.4 x 1.02mm |
| 胶带最大宽度 | :8mm |
| 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | TO-236 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | Power MOSFET |
| 极性 | N |
| SMD标记 | :72 |
| 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 测试温度 | :25°C |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
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