规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品类别 | Transistors Bipolar - BJT |
| 标准包装数量 | Bulk |
| 工厂包装数量 | 50 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | RoHS Compliant |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最大频率 | 30(Typ) MHz |
| 晶体管类型 | NPN |
| 供电电压 | 230 V |
| Vce饱和电压（最大） | 0.4 V |
| 最小输入电压 | 230 V |
| 增益带宽积 | 30 MHz |
| 平均正向功率 | 130 W |
| 最大功耗 | 130000 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 230 V |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 5 V |
| 集电极截止电流（最大） | 15 A |
| 直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce | 55@1A@5V |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 15.9 mm |
| 高度 | 4.8 mm |
| 长度 | 20 mm |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | 3TO-3PN |
| 位数 | 3 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | NPN |
| 系列 | 2SC5242 |
| 制造商全称 | Toshiba |
| 配置 | Single |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55 to 150 °C |