HN2C01FEYTE85LF

HN2C01FEYTE85LF

Toshiba Corporation

TRANSISTOR NPN ES6 PLN Transistors Bipolar - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A TRANS NPN DUAL 50V 100MA ES6 Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A

规格参数

商业参数

参数值
其他名称HN2C01FEYTE85LFCT
标准包装数量4,000
工厂包装数量4000

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant

电气参数

参数值
最大功率100mW
晶体管类型2 NPN (Dual)
供电电压50V
Vce饱和电压(最大)0.1 V
过渡频率60MHz
增益带宽积60 MHz
平均正向功率100 mW
最大功耗100 mW
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic60 V
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic250mV @ 10mA, 100mA
集电极电流(Ic)(最大)150mA
集电极截止电流(最大)100nA (ICBO)
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce120 @ 2mA, 6V

机械参数

参数值
包装方式Tape & Reel (TR)
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
封装形式SOT-563, SOT-666
供应商器件封装ES6

产品信息

参数值
系列HN2C01
制造商全称Toshiba
配置Dual