规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 商标名 | NexFET |
| 其他名称 | 296-27609-2 |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 标准封装名称 | Wafer |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| 欧盟RoHS | Supplier Unconfirmed |
| 海关税号 | 85412900 |
| 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 38 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | -6 V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 栅极电荷 | 4.3 nC |
| 最大功率 | 1.5W |
| 额定功率 | 1.5 W |
| 下降时间（典型） | 38 ns |
| 上升时间（典型） | 11 ns |
| 晶体管类型 | P-Channel |
| 首抽头延迟 | 51 ns |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1.1V @ 250µA |
| 击穿电压 | 20 V |
| 阈值电压 | :-700mV |
| 导通电阻 RDS(On) | :0.033ohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 40@4.5V mOhm |
| 最大功耗 | :1.5W |
| 传播延迟（最大） | 11 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 20 V |
| 导通电阻（最大） | 40@4.5V |
| 电流传输比（最小） | 12 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 5.6nC @ 4.5V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 9.5 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 4 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | - 6 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 4 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 510pF @ 10V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 4A (Ta) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 1.5 |
| 重量 | 0.00027 |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :9 |
| 封装形式 | 9Wafer |
| 冷却的封装 | Wafer |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 总长度 | 1.5 |
| 包装数量 | Wafer |
| 位数 | 9 |
| 外壳尺寸-插件 | 0.35 |
| 供应商器件封装 | 9-DSBGA |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | Power MOSFET |
| 系列 | CSD25201W15 |
| 极性 | P |
| 通道类型 | P |
| 配置 | Single |
| 印刷电路板数量 | 9 |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55 to 150 °C |