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# 元件详情：CSD17313Q2

- **型号**: CSD17313Q2
- **oneic 编号**: 136-CSD17313Q2
- **厂商**: Texas Instruments Incorporated
- **描述**: Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin SON T/R MOSFET N-CH 30V 5A 6SON MOSFET Transistor 30V N Channel NexFET™ Power MOSFET Texas Instruments  , N沟道 MOSFET 晶体管, 5 A, Vds=30 V, 6针 SON封装 MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
- **分类**: 分立半导体元件 / IGBT / 分立IGBT

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 其他名称 | 296-27233-2 |
| 标准包装数量 | Tape & Reel, Cut Tape |
| 标准封装名称 | SON |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412100 |
| 零件状态 | ACTIVE |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 最大栅源电压 Vgs | 10 V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 2.3W |
| 下降时间（典型） | 1.3 ns |
| 晶体管类型 | :N Channel |
| 首抽头延迟 | 4.2 ns |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1.8V @ 250µA |
| 击穿电压 | 30 V |
| 阈值电压 | :1.3V |
| 最大额定电流 | Catalog |
| 导通电阻 RDS(On) | :26mohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 30@8V mOhm |
| 最大功耗 | :2.3W |
| 传播延迟（最大） | 3.9 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 |
| 逻辑电压 - VIL, VIH | - |
| 导通电阻（最大） | 30@8V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 2.7nC @ 4.5V |
| 峰值脉冲电流（8/20µs） | 20 |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 2.8 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 5 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 340pF @ 15V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 5A (Tc) |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 宽度 | 2 |
| 重量 | 0.00001 |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | 6SON |
| 总长度 | 2 |
| 包装数量 | SON |
| 位数 | 6 |
| 外壳尺寸-插件 | 0.75(Max) |
| 供应商器件封装 | 6-SON (2x2) |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 软件 | SLPS260D |
| 通道类型 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 图案编号 | Y |
| 功能框图 | alt_slps260d.gif |
| 使用的IC/零件 | View |
| DigiKey可编程 | - |
| 其他规格 | 0.4 |
| 印刷电路板数量 | 6 |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 测试温度 | -55 to 150 |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |

## 数据手册

- [Datasheet](http://www.farnell.com/datasheets/1536237.pdf)

## 实时报价

> 报价接口（需 API Key）：`https://r.huluic.cn/v2/offers/CSD17313Q2`

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数据来源：[huluic.cn](https://huluic.cn)