CSD17306Q5A

CSD17306Q5A

Texas Instruments Incorporated

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SON EP T/R MOSFET N-CH 30V 100A 8SON MOSFET, N CH, 30V, 100A, 8SON 30V N Channel NexFET™ Power MOSFET Texas Instruments N沟道 Si MOSFET 晶体管 , 100 A, Vds=30 V, 8针 SON封装 MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET

规格参数

商业参数

参数
其他名称296-25856-2
标准包装数量Tape & Reel

合规参数

参数
RoHSContains lead / RoHS non-compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant
海关税号85412900
零件状态ACTIVE
抗辐射加固No

电气参数

参数
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs10 V
FET特性Standard
最大功率3.2W
额定功率3.2 W
下降时间(典型)6.4 ns
晶体管类型:N Channel
首抽头延迟18.4 ns
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id1.6V @ 250µA
击穿电压30 V
阈值电压:1.1V
最大额定电流:100A
导通电阻 RDS(On):2.9mohm
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs3.7@8V mOhm
最大功耗:3.2W
传播延迟(最大)13.1 ns
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic30 V
逻辑电压 - VIL, VIHYes
导通电阻(最大)3.7@8V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs15.3nC @ 4.5V
峰值脉冲电流(8/20µs)155
开关时间(Ton, Toff)(最大)7.8 ns
漏源电压(Vdss)30V
峰值脉冲电流(10/1000µs)24 A
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)24 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds2170pF @ 15V
连续漏极电流(Id)@ 25°C24A (Ta), 100A (Tc)

机械参数

参数
宽度5.75
重量0.0001
包装方式Tape and Reel
安装类型Surface Mount
引脚数:8
封装形式8SON EP
冷却的封装SON EP
材料表面处理:MSL 1 - Unlimited
总长度4.9
包装数量SON EP
位数8
外壳尺寸-插件1
供应商器件封装8-SON (5x6)

产品信息

参数
类型Power MOSFET
极性N
软件SLPS253A
通道类型Enhancement
配置Single
图案编号
功能框图
使用的IC/零件View
DigiKey可编程
其他规格2.4
印刷电路板数量8

环境参数

参数
测试温度-55 to 150
工作温度-55 to 150 °C