TLE2062AMDG4

TLE2062AMDG4

Texas Instruments Incorporated

OP Amp Dual GP ±18V 8-Pin SOIC IC OPAMP JFET 2MHZ 8SOIC TLE2062AMDG4, Dual Operational Amplifier 1.8MHz, 8-Pin SOIC Operational Amplifiers - Op Amps JFET-Input Lo Power Hi Drive Dual Op Amp OP Amp Dual GP ?18V 8-Pin SOIC JFET-Input Low Power High Drive Dual Operational Amplifier

规格参数

商业参数

参数值
产品Operational Amplifiers
产品类别Operational Amplifiers - Op Amps
标准包装数量Rail / Tube
工厂包装数量75

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
零件状态ACTIVE
抗辐射加固No
高可靠性Y

电气参数

参数值
增益93.06 dB
频率59 nV/sqrt Hz
压摆率3.4@±5V V/us
输入类型Rail-to-Rail
1kHz噪声电压43
输出类型No
失调漂移6
输入功率Dual
建立时间
平带噪声电压
输入阻抗0.001 pA/sqrt Hz
共模抑制比、电源抑制比(典型)65 dB
输出电流625µA
供电电流0.62@±5V mA
供电电压±3.5 V
通道数量2
元件数量2
输入偏置电流4pA
最大额定电流Military
失调电压漂移
最小输入电压800µV
增益带宽积1.8 MHz
轨到轨工作
静态电流 (Iq)0.354
输入偏置电流(最大)0.000003(Typ)@±5V uA
输出电流/通道80mA
供电电压 (Vcc/Vdd)36
25°C失调电压2
输入噪声电流密度0.001@±5V pA/rtHz
输入噪声电压密度59@±5V nV/rtHz
电源电压范围(典型)�5/�9/�12/�15 V
输入失调电压(最大)4@±5V mV
电压输出差(典型值)@ 距离93.06 dB

机械参数

参数值
高度1.58 mm
长度4.9 mm
重量0.002677 oz
带宽
包装方式Tube
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
封装形式8SOIC
冷却的封装SOIC
包装数量75 | TUBE
位数8
供应商器件封装8-SOIC

产品信息

参数值
类型General Purpose Amplifier
系列TLE2062AM
产品特性
关断No Shutdown
软件SLOS193B
技术BiFET
架构
制造商全称Texas Instruments
放大器类型J-FET
图案编号
功能框图
电路数2
使用的IC/零件View
DigiKey可编程

环境参数

参数值
测试温度
工作温度-55 to 125 °C