规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 商标名 | NexFET |
| 标准包装数量 | 50 |
| 工厂包装数量 | 50 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | RoHS Compliant |
| 海关税号 | 85412900 |
| 零件状态 | ACTIVE |
| 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 2.4 n |
| 最大栅源电压 Vgs | �20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 栅极电荷 | 19 nC |
| 最大功率 | 98W |
| 额定功率 | 98 W |
| 上升时间（典型） | 4.8 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 10.4 ns |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.3V @ 250µA |
| 阈值电压 | :1.9V |
| 最大额定电流 | Catalog |
| 导通电阻 RDS(On) | :0.0076ohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 40A, 10V |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 60 V |
| 逻辑电压 - VIL, VIH | Yes |
| 电流传输比（最小） | 100 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 24nC @ 10V |
| 峰值脉冲电流（8/20µs） | 164 |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 100 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1880pF @ 30V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 45A (Ta), 100A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 重量 | 0 |
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | TO-220-3 |
| 冷却的封装 | TO-220 |
| 包装数量 | 50 | TUBE |
| 位数 | 3 +Tab |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | Power MOSFET |
| 系列 | CSD18534KCS |
| 极性 | N |
| 软件 | SLPS383B |
| 通道类型 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 图案编号 | Y |
| 功能框图 | fbd_slps383b.gif |
| 使用的IC/零件 | View |
| DigiKey可编程 | |
| 其他规格 | 3.1 |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 测试温度 | -55 to 150 |
| 工作温度 | -55C to 150C |