CSD18532KCS

CSD18532KCS

Texas Instruments Incorporated

MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 MOSFET 60-V N-Chanel NxFT Pwr MOSFETs MOSFET, N-CH, 60V, 0.0033OHM, 100A, TO-220-3 60-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET Texas Instruments , N沟道 MOSFET 晶体管, 169 A, Vds=60 V, 3针 TO-220封装

规格参数

商业参数

参数值
商标名NexFET
其他名称296-34941-5
标准包装数量50
工厂包装数量50

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant
海关税号85412900
零件状态ACTIVE

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间5.6 ns
最大栅源电压 Vgs:10V
FET特性Logic Level Gate
栅极电荷44 nC
最大功率216W
额定功率216 W
上升时间(典型)5.3 ns
晶体管类型N-Channel
首抽头延迟24.2 ns
Vgs(th)(最大)@ Id2.2V @ 250µA
阈值电压:1.8V
最大额定电流Catalog
导通电阻 RDS(On):0.0033ohm
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs4.2 mOhm @ 100A, 10V
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic60
逻辑电压 - VIL, VIHYes
电流传输比(最小)146 S
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs53nC @ 10V
峰值脉冲电流(8/20µs)400
漏源电压(Vdss)60V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)100 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds4680pF @ 30V
连续漏极电流(Id)@ 25°C100A (Tc)

机械参数

参数值
重量0
包装方式Tube
安装类型Through Hole
安装样式Through Hole
封装形式TO-220-3
包装数量50 | TUBE
供应商器件封装TO-220-3

产品信息

参数值
系列CSD18532KCS
软件SLPS361B
配置Single
图案编号Y
功能框图fbd_slps361b.gif
使用的IC/零件View
DigiKey可编程
其他规格6.9

环境参数

参数值
测试温度-55 to 150